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J-GLOBAL ID：201802272850841734   整理番号：18A1597878

アクティブ電子走査アレイのためのGaNシングルチップフロントエンド【JST・京大機械翻訳】

A GaN Single-Chip Front-End for Active Electronically Scanned Arrays

著者 (10件)： Ciccognani W. (University of Roma Tor Vergata, Via del Politecnico 1, Roma, Italy) ,  Colangeli S. (University of Roma Tor Vergata, Via del Politecnico 1, Roma, Italy) ,  Costanzo F. (University of Roma Tor Vergata, Via del Politecnico 1, Roma, Italy) ,  Giofre R. (University of Roma Tor Vergata, Via del Politecnico 1, Roma, Italy) ,  Polli G. (University of Roma Tor Vergata, Via del Politecnico 1, Roma, Italy) ,  Salvucci A. (University of Roma Tor Vergata, Via del Politecnico 1, Roma, Italy) ,  Vittori M. (University of Roma Tor Vergata, Via del Politecnico 1, Roma, Italy) ,  Limiti E. (University of Roma Tor Vergata, Via del Politecnico 1, Roma, Italy) ,  Sotgia M. (Rheinmetall Italia, Via Affile 102, Roma, Italy) ,  Cirillo M. (Rheinmetall Italia, Via Affile 102, Roma, Italy)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： IMS  ページ： 613-615  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,米国の半導体(UMS)によって提供された250nmゲート長GaNプロセスを利用した単一チップフォント-エンド設計を提案した。設計手順と予備測定結果を提供した。Rxモードにおいて,0.5dBより低いリップルで,1.75dBより低い雑音指数と30dBより良い利得を達成した。Txモードでは,公称動作点(11dBm入力電力)で45dBm出力と400%PAEを達成した。報告された性能はSバンドにおいて13%の帯域幅に及び,MMICは能動的な電気的に走査されたアンテナ応用のために目標とされる。全チップは7mm7mm2の面積を占めている。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： MMIC ,  アンテナ ,  *窒化ガリウム ,  雑音指数 ,  半導体 ,  利得 ,  帯域幅
準シソーラス用語： Sバンド ,  ゲート長 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (3件)： 電子走査 ,  アレイ ,  GaN