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J-GLOBAL ID:201802272869667693   整理番号:18A0937528

同期Bi金属とBi_2O_3カップリングによる非晶質Bi_2WO_6の活性化:光触媒機構と反応経路【JST・京大機械翻訳】

Activation of amorphous Bi2WO6 with synchronous Bi metal and Bi2O3 coupling: Photocatalysis mechanism and reaction pathway
著者 (7件):
資料名:
巻: 232  ページ: 340-347  発行年: 2018年 
JST資料番号: W0375A  ISSN: 0926-3373  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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非晶質半導体は通常,高速電荷再結合速度のために低い光触媒効率を被る。本研究では,非晶質Bi_2WO_6を活性化するために,Bi_2O_3とBi粒子を,室温でのNaBH_4による非晶質Bi_2WO_6の容易なin situ化学還元により,その表面上に配列した。得られた三元Bi/Bi_2O_3/Bi_2WO_6において,良く形成されたヘテロ接合(すなわち,Bi-Bi_2O_3とBi_2O_3-Bi_2WO_6)とBiの表面プラズモン共鳴効果は,電荷キャリア濃度の増加,効率的なe-/h+分離,および増強された可視光光触媒性能に寄与した。複合材料におけるBi,Bi_2O_3およびBi_2WO_6のモル比はNaBH_4の用量によって調整することができ,その結果,SPR効果の強度と同様に各ヘテロ接合(すなわちBi/Bi_2O_3またはBi_2O_3/Bi_2WO_6)の量を調整することができた。可視光照射下での光触媒NO除去試験により,BWO-0.8(0.8はNaBH_4対Bi_2WO_6のモル比)が55.4%の最大NO除去効率を示し,元の非晶質Bi_2WO_6(10%)よりもはるかに高いことを示した。増強された活性はBi金属の平衡SPR効果とヘテロ接合効果に起因し,それらの全体的寄与を最大化した。その場FT-IRによる光触媒NO酸化の経路研究は,NOが触媒表面上に吸着された硝酸塩に変換されることを示唆した。本研究は,効率的な可視光光触媒のための非晶質半導体を活性化する新しいアプローチを提供することができた。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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光化学反応 

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