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J-GLOBAL ID：201802273176022127   整理番号：18A0381559

表面静電改質によるバルクCuドープKNSBN結晶の増強光屈折性能【Powered by NICT】

Enhanced photorefractive performance of bulk cu-doped KNSBN crystals through surface electrostatic modification

著者 (5件)： Li Liang (Institute of Modern Optics, Department of Physics, Harbin Institute of Technology, Harbin, 150001, China) ,  Zhang Jingwen (Institute of Modern Optics, Department of Physics, Harbin Institute of Technology, Harbin, 150001, China) ,  Zhang Jingwen (Key Laboratory of Micro-Optics and Photonics Technology of Heilongjiang Province, Harbin, 150001, China) ,  Zhao Hua (Institute of Modern Optics, Department of Physics, Harbin Institute of Technology, Harbin, 150001, China) ,  Zhao Hua (Key Laboratory of Micro-Optics and Photonics Technology of Heilongjiang Province, Harbin, 150001, China)
資料名： Optics Communications  (Optics Communications)
巻： 382  ページ： 399-404  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0678B  ISSN： 0030-4018  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 顕著な光屈折性増強が観察され,調べた表面上の電荷蓄積のために銅をドープした(K_0 5Na_0)0.2(Sr_0 0.75Ba_0 0.25)0.9Nb_2O_6(Cu:KNSBN)結晶,電歪効果に由来するであった。表面にこの静電改質は,従来の二ビーム結合実験を用いて検討し,17以上の高い回折次数が観察された。電荷蓄積量を推定するために,表面電荷密度は閉ループ回路を用いた直接電流測定により測定した。薄い位相格子回折パターン,関連する読取実験によって確認されたの原因であると考えた。格子の強い屈折率変調を強調するために与えられた対応する計算と解析。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電歪 ,  位相格子 ,  *銅 ,  電流測定 ,  屈折率 ,  *光屈折 ,  帯電 ,  *結晶 ,  *ドーピング
準シソーラス用語： 回折パターン ,  表面電荷密度 ,  回折次数 ,  ビーム結合 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： KNSBN ,  光屈折効果 ,  Piezoelectrics ,  静電改質 ,  薄い位相格子

分類 (3件)： 光デバイス一般  (BD06010L) ,  非線形光学  (BD05000T) ,  レーザ照射・損傷  (BK16040S)

タイトルに関連する用語 (7件)： 改質 ,  バルク ,  Cu ,  ドープ ,  結晶 ,  増強 ,  光屈折