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J-GLOBAL ID:201802273227375837   整理番号:18A0710359

部分的深さエッチングによる多モードシリコン導波路における広帯域相互光ダイオードの設計【JST・京大機械翻訳】

Design of a broadband reciprocal optical diode in multimode silicon waveguide by partial depth etching
著者 (5件):
資料名:
巻: 418  ページ: 88-92  発行年: 2018年 
JST資料番号: A0678B  ISSN: 0030-4018  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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シリコン-オン-絶縁体プラットフォーム上の多モードシリコン導波路における非対称空間モード変換に基づく相互光学ダイオードの設計を提案した。この設計は広い帯域幅,高いコントラスト比および高い製造許容性を有している。機能領域における部分的深さエッチングにより,偶数モードの前方偶奇モード変換と後方ブロッケードを達成した。三次元有限差分時間領域法によるシミュレーションにより,前方透過効率は約-2.05dBで,後方透過効率は-22.68dBで,1550nmの波長で0.983の最高コントラスト比に達した。動作帯域幅は最大200nm(1450nmから1650nmまで)で,コントラスト比は0.911以上であった。数値解析により,提案した光学ダイオードは,作製に導入される可能性のある形状パラメータ誤差に対して高い許容性を有することを実証した。部分的深さエッチングに基づく設計はCMOSプロセスと互換性があり,シリコンベースの全光回路に寄与することが期待される。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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光導波路,光ファイバ,繊維光学 

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