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J-GLOBAL ID：201802273283946561   整理番号：18A0937624

光起電力応用のためのワイドバンドギャップナノ結晶シリコン-炭素合金【JST・京大機械翻訳】

Wide-bandgap nanocrystalline silicon-carbon alloys for photovoltaic applications

著者 (10件)： Cho Jun-Sik (Photovoltaic Laboratory, Korea Institute of Energy Research, 152 Gajeong-ro, Yuseong-gu, Daejeon 34129, Republic of Korea) ,  Jang Eunseok (Photovoltaic Laboratory, Korea Institute of Energy Research, 152 Gajeong-ro, Yuseong-gu, Daejeon 34129, Republic of Korea) ,  Lim Dongmin (Photovoltaic Laboratory, Korea Institute of Energy Research, 152 Gajeong-ro, Yuseong-gu, Daejeon 34129, Republic of Korea) ,  Lim Dongmin (Department of Materials Physics, Dong-A University, 840 Saha-gu, Busan 604-714, Republic of Korea) ,  Ahn Seungkyu (Photovoltaic Laboratory, Korea Institute of Energy Research, 152 Gajeong-ro, Yuseong-gu, Daejeon 34129, Republic of Korea) ,  Yoo Jinsu (Photovoltaic Laboratory, Korea Institute of Energy Research, 152 Gajeong-ro, Yuseong-gu, Daejeon 34129, Republic of Korea) ,  Cho Ara (Photovoltaic Laboratory, Korea Institute of Energy Research, 152 Gajeong-ro, Yuseong-gu, Daejeon 34129, Republic of Korea) ,  Park Joo Hyung (Photovoltaic Laboratory, Korea Institute of Energy Research, 152 Gajeong-ro, Yuseong-gu, Daejeon 34129, Republic of Korea) ,  Kim Kihwan (Photovoltaic Laboratory, Korea Institute of Energy Research, 152 Gajeong-ro, Yuseong-gu, Daejeon 34129, Republic of Korea) ,  Choi Bo-Hun (Department of Materials Physics, Dong-A University, 840 Saha-gu, Busan 604-714, Republic of Korea)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 182  ページ： 220-227  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： p型水素化炭化ケイ素(p-SiC:H)膜を,炭素をナノ結晶シリコンネットワークに系統的に組み込むことにより,プラズマ増強化学蒸着を用いて調製した。膜の炭素含有量をメタン/シラン(CH_4/SiH_4;R_C)比を調整することによって変化させた。膜の化学結合,微細構造及び電気光学特性を詳細に調べた。R_Cの増加とともに,膜中のケイ素-炭素結合密度は徐々に増加し,全体の微細構造は非晶質になった。高水素希釈堆積中の膜の炭素含有量の洗練された制御を通して,非晶質SiC:Hマトリックス中に埋め込まれたナノメータスケールのSi微結晶を有するp型水素化ナノ結晶SiC:H(p-nc-SiC:H)膜を得た。p-nc-SiC:H膜は2eV以上の広いバンドギャップを有し,550nm以下の波長で寄生光吸収を低減した。n-i-pフレキシブルおよびp-i-n半透明nc-Si:H太陽電池の窓層として優れた電気光学特性を有する広バンドギャップp-nc-SiC:H膜を用いると,狭いバンドギャップを有する通常のp-nc-Si:H層の代わりに,高い開回路電圧(V_OC)と350~550nmの短波長での高い量子効率値のために,増強されたセル性能が達成された。柔軟なnc-Si:H太陽電池の変換効率は6.37%(V_OC=0.41V,J_SC=22.81mA/cm2,FF=68.10%)から増加し,J_SCは短絡電流密度,FFはそれぞれ7.89%(V_OC=0.51V,J_SC=24.04mA/cm2,FF=64.37%)であった。低ドープp-nc-SiC:H窓層と酸化インジウムスズ前面接触の間に非常に薄い高ドープp-nc-SiC:Hバッファ層を挿入することにより,9.18%への変換効率の更なる増加が得られた。500~800nmの可視波長領域において17.29%の平均光透過率を有して,3.66%(V_OC=0.42V,J_SC=14.83mA/cm2,FF=58.69%)から4.33%(V_OC=0.45V,J_SC=17.74mA/cm2,FF=54.18%)への変換効率の著しい増加が達成された(V_OC=0.45V,J_SC=17.74mA/cm2,FF=54.18%)。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *炭素 ,  量子効率 ,  *ナノ結晶 ,  ドーピング ,  ケイ素 ,  光学的性質 ,  水素化 ,  *バンドギャップ ,  プラズマCVD ,  水素 ,  非晶質 ,  波長 ,  太陽電池
準シソーラス用語： シリコン太陽電池 ,  変換効率 ,  *ナノ結晶シリコン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ワイドバンドギャップ ,  太陽電池 ,  シリコン-炭素合金 ,  窓層 ,  薄膜シリコン

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (6件)： 光起電力 ,  応用 ,  ワイドバンドギャップ ,  ナノ結晶シリコン ,  炭素 ,  合金