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J-GLOBAL ID:201802273431441913   整理番号:18A1597207

モバイルデバイスにおけるストレージ書き込み低減のための不揮発性書込みバッファに基づくjournリングバイパス【JST・京大機械翻訳】

Nonvolatile Write Buffer-Based Journaling Bypass for Storage Write Reduction in Mobile Devices
著者 (3件):
資料名:
巻: 37  号:ページ: 1747-1759  発行年: 2018年 
JST資料番号: B0142C  ISSN: 0278-0070  CODEN: ITCSDI  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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スマートフォンのようなモバイルシステムにおいて,ほとんどのストレージ書込み書はSQLiteデータベース(DB)システムによって取り込まれている。これらの書込みは,2つの部分から成る。すなわち,オリジナルデータ(例えば,SQLite DBファイル)と,旅行によって誘発されたライトである。本論文では,これらの文字の特性に関する著者らの観察を初めて報告する。(1)jouraling書は記憶書込みを支配し,(2)over書はモバイル記憶において頻繁に存在し,(3)それらのオーバーライトはデータの小部分のみを変化させる。これらの観察に基づいて,小型の容量を持つ不揮発性書込みバッファを採用し,それを用いて,journなしに小型書込みを継続的に保存することを提案した。これにより,それらの小さな書込みに対するジャーナル書込みを完全に避けることができ,それは,同じレベルのデータ整合性と耐久性をまだ提供しながら,旅行によって誘発された書込みにおける著しい減少に寄与する。著者らの機構では,不揮発性書込みバッファの容量を最小化することが重要であり,したがって,バッキングコンデンサはモバイルシステムの厳しい資源/サイズ要求を破らない。したがって,著者らは,小さな書込みバッファの最良の利用を行う3つの最適化を提案した。(1)古いデータと新しいデータの間の差のみを管理する書込みバッファ,(2)書込みバッファに記憶するデータを決定する動的方法,(3)書込みバッファの数を制御するインクリメンタルなフラッシュポリシー,を求める。実験結果は,8KB書込みバッファと小さいコンデンサだけで,単一と複数のモバイルアプリケーションをそれぞれ実行するとき,平均で92.4%と85.1%のストレージ書込み低減を示した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (3件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
集積回路一般  ,  記憶装置  ,  CAD,CAM 

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