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J-GLOBAL ID：201802273453156351   整理番号：18A1129263

埋め込み非対称ナノギャップ電極に基づくホットエレクトロン光検出【JST・京大機械翻訳】

Hot-electron photodetection based on embedded asymmetric nano-gap electrodes

著者 (10件)： Shi Xiaoyi (Key Laboratory for Micro-/Nano- Optoelectronic Devices of Ministry of Education, School of Physics and Electronics, Hunan University, Changsha 410082, China) ,  Xiao Wang (Key Laboratory for Micro-/Nano- Optoelectronic Devices of Ministry of Education, School of Physics and Electronics, Hunan University, Changsha 410082, China) ,  Fan Queqiao (Key Laboratory for Micro-/Nano- Optoelectronic Devices of Ministry of Education, School of Physics and Electronics, Hunan University, Changsha 410082, China) ,  Zhou Ting (Key Laboratory for Micro-/Nano- Optoelectronic Devices of Ministry of Education, School of Physics and Electronics, Hunan University, Changsha 410082, China) ,  Song Wenjing (Key Laboratory for Micro-/Nano- Optoelectronic Devices of Ministry of Education, School of Physics and Electronics, Hunan University, Changsha 410082, China) ,  Zhang Chi (Key Laboratory for Micro-/Nano- Optoelectronic Devices of Ministry of Education, School of Physics and Electronics, Hunan University, Changsha 410082, China) ,  Zhang Yun (Key Laboratory for Micro-/Nano- Optoelectronic Devices of Ministry of Education, School of Physics and Electronics, Hunan University, Changsha 410082, China) ,  Lu Zhun (Key Laboratory for Micro-/Nano- Optoelectronic Devices of Ministry of Education, School of Physics and Electronics, Hunan University, Changsha 410082, China) ,  Peng Wei (Key Laboratory for Micro-/Nano- Optoelectronic Devices of Ministry of Education, School of Physics and Electronics, Hunan University, Changsha 410082, China) ,  Zeng Yun (Key Laboratory for Micro-/Nano- Optoelectronic Devices of Ministry of Education, School of Physics and Electronics, Hunan University, Changsha 410082, China)
資料名： Optik  (Optik)
巻： 169  ページ： 236-241  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0251A  ISSN： 0030-4026  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 表面プラズモンの無放射減衰から発生するホットエレクトロンを光検出に用いることができる。しかし,これらのホットエレクトロンのわずかな割合しか収集できない。本論文において,埋め込まれた非対称ナノギャップ電極に基づく一種のホット電子光検出器を提案して,それはホット電子収集効率を強化することができた。この構造により,素子は,1310nmと1550nmの波長に対して,それぞれ3.75mA/Wと1.58mA/Wの高い応答性を達成できた。これらの洞察は光通信システムにおける効率と低コストを高めることができる。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 応答特性 ,  *光検出 ,  波長 ,  *非対称性 ,  表面プラズモン ,  Schottky障壁 ,  *ホットエレクトロン ,  光検出器
準シソーラス用語： 光通信システム ,  放射減衰 ,  *ナノギャップ電極 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ホットエレクトロン光検出 ,  表面プラズモン ,  埋め込み ,  非対称ナノギャップ電極 ,  Schottky障壁

分類 (4件)： 光デバイス一般  (BD06010L) ,  光の像形成  (BD03050I) ,  光学器械要素とその材料  (QF05020K) ,  光学的測定とその装置一般  (BD07010S)

タイトルに関連する用語 (5件)： 埋め込み ,  非対称 ,  ナノギャップ電極 ,  ホットエレクトロン ,  光検出