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J-GLOBAL ID：201802273685111317   整理番号：18A1300186

触覚センシングのための圧電グラフェン電界効果トランジスタ圧力センサ【JST・京大機械翻訳】

Piezoelectric graphene field effect transistor pressure sensors for tactile sensing

著者 (7件)： Yogeswaran N. (Bendable Electronics and Sensing Technologies (BEST) Group, School of Engineering, University of Glasgow, Glasgow G12 8QQ, United Kingdom) ,  Navaraj W. T. (Bendable Electronics and Sensing Technologies (BEST) Group, School of Engineering, University of Glasgow, Glasgow G12 8QQ, United Kingdom) ,  Gupta S. (Bendable Electronics and Sensing Technologies (BEST) Group, School of Engineering, University of Glasgow, Glasgow G12 8QQ, United Kingdom) ,  Liu F. (Bendable Electronics and Sensing Technologies (BEST) Group, School of Engineering, University of Glasgow, Glasgow G12 8QQ, United Kingdom) ,  Vinciguerra V. (ST Microelectronics, Catania 95121, Italy) ,  Lorenzelli L. (Microsystems Technology (MST) Group, Fondazione Bruno Kessler, Trento 38123, Italy) ,  Dahiya R. (Bendable Electronics and Sensing Technologies (BEST) Group, School of Engineering, University of Glasgow, Glasgow G12 8QQ, United Kingdom)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 113  号： 1  ページ： 014102-014102-4  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文は,触覚センシング用のグラフェン電界効果トランジスタ(GFET)ベースの圧力センサを提示した。センシング素子は,拡張ゲート配置における圧電金属-絶縁体-金属(MIM)キャパシタと接続したGFETから成る。MIMへの圧力の適用は,GFETのチャネル電流を変調する圧電ポテンシャルを発生させる。作製した圧力センサを23.54~94.18kPaの範囲で試験し,4.55×10~3kPa(-1)の感度を示した。さらに,提示した圧力センサの低電圧(~100mV)動作は,それらを着用可能な電子応用に理想的にする。Copyright 2018 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 金属 ,  *圧力センサ ,  チャネル ,  *圧電気 ,  *FET【トランジスタ】 ,  絶縁体 ,  コンデンサ ,  電流 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： 低電圧 ,  *触覚センシング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  力,仕事量,圧力,摩擦の計測法・機器  (AD05050V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 触覚センシング ,  圧電 ,  グラフェン ,  電界効果トランジスタ ,  圧力センサ