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J-GLOBAL ID：201802273698012721   整理番号：18A0445117

ヒートパイプによるパワーMOSFETの冷却の熱的モデリング【Powered by NICT】

Thermal modeling of the cooling of a power MOSFET by heat pipes

著者 (3件)： Driss Ameni (Laboratoire Mate ́riaux, Mesures et Applications (MMA), Institut National des Sciences Applique ́es et de Technologie (INSAT), Centre Urbain Nord, BP N° 676, 1080 Tunis, Tunisia) ,  Maalej Samah (Laboratoire Mate ́riaux, Mesures et Applications (MMA), Institut National des Sciences Applique ́es et de Technologie (INSAT), Centre Urbain Nord, BP N° 676, 1080 Tunis, Tunisia) ,  Zaghdoudi Mohamed Chaker (Laboratoire Mate ́riaux, Mesures et Applications (MMA), Institut National des Sciences Applique ́es et de Technologie (INSAT), Centre Urbain Nord, BP N° 676, 1080 Tunis, Tunisia)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ICEMIS  ページ： 1-6  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,ヒートパイプシステムによるパワーMOSFETの冷却をシミュレートするためにモデルを開発した。MOSFETは,製造者によって供給されるその熱特性に基づいてRC熱回路法によってモデル化した。ヒートパイプもRC熱回路によりモデル化した。ヒートパイプモデルの熱抵抗と容量を実験と理論計算の両方によって決定した。モデルをMOSFETの接合温度とデューティ比,D,及び変異体時間熱入力,T_pの持続時間のような種々のパラメータの関数として周期的熱入力に応答してヒートパイプ温度を決定することを目的とした。結果は,与えられた期間Tp,デューティ比は最小値と最大値の間の振動する接合温度に影響することを示す。さらに,最大と最小の接合温度はデューティ比と共に増加した。与えられたデューティ比では,接合温度は,熱入力パワーの継続時間によって影響を受けた。最大接合温度はTpと共に増加するが,最小接合温度は熱入力時間の増加と共に減少した。全ての場合において,接合部温度値はMOSFETの安全運転に許される最大よりも,低い状態である。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 継続時間 ,  熱特性 ,  *モデリング ,  熱抵抗 ,  *ヒートパイプ ,  生産者 ,  *MOSFET
準シソーラス用語： 安全運転 ,  熱入力 ,  デューティサイクル ,  接合温度 ,  理論計算 ,  熱的モデリング ,  *パワーMOSFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： ヒートパイプ ,  パワーMOSFET ,  熱的モデリング