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J-GLOBAL ID：201802273819356997   整理番号：18A1596763

バナジウム酸ビスマス薄膜光電極の光電気化学性能に及ぼすアニーリング温度の影響【JST・京大機械翻訳】

Annealing temperature effects on photoelectrochemical performance of bismuth vanadate thin film photoelectrodes

著者 (10件)： Shi Le (Water Desalination and Reuse Center, Division of Biological and Environmental Sciences and Engineering, King Abdullah University of Science and Technology, Thuwal 23955-6900, Saudi Arabia. [e-mail]) ,  Zhuo Sifei ,  Abulikemu Mutalifu ,  Mettela Gangaiah ,  Palaniselvam Thangavelu ,  Rasul Shahid ,  Tang Bo ,  Yan Buyi ,  Saleh Navid B. ,  Wang Peng
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 8  号： 51  ページ： 29179-29188  発行年： 2018年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,バナジウム酸ビスマス(BiVO_4)薄膜の結晶化挙動,粒径,電気化学(EC)および光電気化学(PEC)酸素発生反応(OER)性能に及ぼす400°Cと540°Cの間のアニーリング処理の影響を調べた。結果は,より高い温度が,BiVO_4薄膜電極に対して,より大きな結晶粒サイズ,改善された結晶性,およびより良い結晶配向をもたらすことを示している。空気質量1.5グローバル(AM1.5)太陽光照射下で,より高いアニーリング温度(500~540°C)で調製したBiVO_4薄膜は,より良いPEC OER性能を示した。また,OER光電流密度は,400°Cから540°Cまで調製した試料に対して,0.25mAcm-2から1.27mAcm-2に増加し,亜硫酸塩の酸化のそれは1.39から2.53mAcm-2に増加した。開回路光起電力減衰(OCPVD)測定は,より高いアニーリング温度で調製したBiVO_4試料が,より少ない電荷再結合とより長い電子寿命を有することを示した。しかし,より低いアニーリング温度で調製したBiVO_4試料は,光照射がないと電気化学的に活性な表面サイトがより良く,電気化学的二重層容量(C_dl)に負に関係している。C_dlは400°Cで0.0074mFcm-2であり,540°Cで0.0006mFcm-2に減少した。OERと硫化物の酸化を注意深く比較し,これらは,バルク(η_バルク)とBiVO_4薄膜電極の表面(η_表面)における電荷輸送の効率がアニーリング温度の上昇と共に改善されることを示した。アニーリング処理の光条件依存の役割の背後にある機構も議論した。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 太陽光 ,  光起電力 ,  電流密度 ,  膜電極 ,  *光電気化学 ,  *光電極 ,  焼なまし ,  光照射 ,  開路 ,  *薄膜 ,  結晶粒径
準シソーラス用語： 電荷輸送 ,  二重層 ,  電荷再結合 ,  *アニーリング温度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 電気化学反応  (CB07050F) ,  光化学一般  (CB08010U) ,  その他の触媒  (CB06123Z)

タイトルに関連する用語 (5件)： バナジウム酸ビスマス ,  薄膜 ,  光電極 ,  光電気化学 ,  アニーリング温度