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J-GLOBAL ID：201802274022794600   整理番号：18A1596830

優れた光起電力材料として明らかにされたMOS_2の隠れた対称性破れ相【JST・京大機械翻訳】

A hidden symmetry-broken phase of MoS₂ revealed as a superior photovoltaic material

著者 (10件)： Xu Meiling (State Key Lab of Superhard Materials, College of Physics, Jilin University, Changchun 130012, China. [e-mail] [e-mail]) ,  Chen Yue ,  Xiong Fen ,  Wang Jianyun ,  Liu Yanhui ,  Lv Jian ,  Li Yinwei ,  Wang Yanchao ,  Chen Zhongfang ,  Ma Yanming
資料名： Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability  (Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability)
巻： 6  号： 33  ページ： 16087-16093  発行年： 2018年 
JST資料番号： W0204B  ISSN： 2050-7488  CODEN： JMCAET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単層MoS_2は,着用可能な光起電力デバイスのための最も有望な候補として長く考えられてきた。しかし,その光起電力効率は,その大きなバンドギャップ(2.0eV)によって制限される。バンドギャップは層数の増加により減少できるが,結果として生じる多層MoS_2の間接バンドギャップ特性は好ましくない。ここでは,スウォーム構造探索により,単分子層MoS_2のこれまで知られていない対称性破れ相(1T_dと表示)の理論的発見を報告した。1T_d相はMoの歪んだ八面体配位パターンを有し,1.27eVの直接バンドギャップは1.34eVの最適値に近づき,光起電力効率に対するShockley-Queisser限界を与えた。重要なことに,隣接する1T_d層の間の非常に弱いvdW力のために,直接バンドギャップの性質は多層を有する薄膜において持続する。30nmの厚さでの理論的光起電力効率は~33.3%に達し,これはこれまで知られている全ての薄膜太陽電池吸収体の中で最も高い変換効率である。さらに,適切な電子注入とアニーリング法を含むいくつかの実行可能な戦略を,1T_d相を合成するために提案した。一度合成されると,1T_d相の優れた光起電力特性は,遷移金属ジカルコゲナイド太陽電池のための完全に新しい研究ラインの開発をもたらす可能性がある。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 多層 ,  薄膜 ,  *隠れた対称性 ,  単分子層 ,  吸収体 ,  太陽電池 ,  スウォーム ,  バンドギャップ ,  *光起電力 ,  モリブデン
準シソーラス用語： 変換効率 ,  薄膜太陽電池 ,  最適値 ,  直接バンドギャップ ,  間接バンドギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (2件)： 光起電力 ,  隠れた対称性