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J-GLOBAL ID：201802274090531524   整理番号：18A0705905

変調ナノワイヤにおける磁化ピン止め:トポロジカル保護から”Corkscrew”機構へ【JST・京大機械翻訳】

Magnetization pinning in modulated nanowires: from topological protection to the “corkscrew” mechanism

著者 (5件)： Fernandez-Roldan Jose Angel (Instituto de Ciencia de Materiales de Madrid, CSIC, c/Sor Juana Ines de la Cruz, 3, 28049, Madrid, Spain. [e-mail]) ,  Perez del Real Rafael ,  Bran Cristina ,  Vazquez Manuel ,  Chubykalo-Fesenko Oksana
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 10  号： 13  ページ： 5923-5927  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 直径変調ナノワイヤは磁壁ピン止めをエンジニアリングすることにより3D磁性ナノ構造の磁化応答を設計するための重要なパラダイムを提供する。その性質を理解し,プロセスを制御する目的で,小さなセグメント直径を変化させたFeCo周期変調多結晶ナノワイヤにおける磁化応答を解析した。著者らのモデリングは,無秩序分布とトポロジー的に非自明な磁化構造の重要な役割に強い依存性を持つ非常に複雑な挙動を示す。小さい直径差をもつ変調ナノワイヤは直線と比較して抗電場の増大により特性化され,反対のキラリティをもつ二つの3Dスキルミオンによって形成されたトポロジー的に保護された壁の形成によって説明されることを実証した。大きな直径の差に対して,ここでは「コルクスクリュー」と呼ばれる新しいピン止め型の発生を報告する:大直径セグメントの磁化はナノワイヤに沿った螺旋変調におけるコア位置をもつスキルミオン管を形成する。この構造は収縮でピン止めされ,狭いセグメントを貫通するために,渦/スキルミオンコアサイズを減少させるべきである。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 抗電場 ,  磁壁 ,  キャラクタリゼーション ,  大口径 ,  スキルミオン ,  多結晶 ,  *ピン止め ,  *磁化 ,  三次元 ,  位相幾何学 ,  *ナノワイヤ ,  モデリング
準シソーラス用語： キラリティ ,  磁化構造 ,  磁性ナノ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  金属結晶の磁性  (BM06040T) ,  結晶成長技術・装置  (BK13020B) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 変調 ,  ナノワイヤ ,  磁化 ,  ピン止め