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J-GLOBAL ID：201802274142936113   整理番号：18A0632844

超高速MOVPE成長GaAsの結晶品質におけるV/III比の影響

Effects of V/III ratio on the quality of GaAs grown by MOVPE with extremely-high growth rate

著者 (6件)： SODABANLU H. (Univ. of Tokyo) ,  UBUKATA A. (Taiyo Nippon Sanso Corp.) ,  WATANABE K. (Univ. of Tokyo) ,  SUGAYA T. (AIST) ,  NAKANO Y. (Univ. of Tokyo) ,  SUGIYAMA M. (Univ. of Tokyo)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 65th  ページ： ROMBUNNO.19a-F310-3  発行年： 2018年03月05日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,  太陽電池 ,  MOCVD ,  *品質 ,  結晶 ,  ヒ素 ,  ガリウム ,  比率

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： MOVPE ,  成長 ,  GaAs ,  結晶品質