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J-GLOBAL ID：201802274480900146   整理番号：18A1620557

窒化亜鉛スズにおける励起子光ルミネセンスと良性欠陥複合体形成【JST・京大機械翻訳】

Exciton photoluminescence and benign defect complex formation in zinc tin nitride

著者 (12件)： Fioretti Angela N. (National Renewable Energy Laboratory, Golden, Colorado 80401, USA. [e-mail]) ,  Pan Jie ,  Ortiz Brenden R. ,  Melamed Celeste L. ,  Dippo Patricia C. ,  Schelhas Laura T. ,  Perkins John D. ,  Kuciauskas Darius ,  Lany Stephan ,  Zakutayev Andriy ,  Toberer Eric S. ,  Tamboli Adele C.
資料名： Materials Horizons  (Materials Horizons)
巻： 5  号： 5  ページ： 823-830  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2467A  ISSN： 2051-6355  CODEN： MHAOAL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しい光起電力材料は,優れた電子特性を実証することによって,それらの生存性を証明する必要が三元および多価半導体において,無秩序および非化学量論は,しばしば高効率太陽電池の可能性を制限する欠陥を引き起こす。ここでは,ZnリッチZnSnN_2(Zn/(Zn+Sn)=0.67)光ルミネセンス,高分解能X線回折,およびモンテカルロ構造モデルに基づく電子構造計算について報告する。Zn過剰とO取り込みの相互補償は,他の縮退n型ドーピングの望ましい還元を与えるが,強い非化学量論的で無秩序な原子構造をもたらす。従って,良く分解された励起子と浅いドナーとアクセプタからの近エッジ光ルミネセンスのみを観測することは注目に値する。第一原理計算に基づいて,この結果を,電子的に良性の両方を与えるZn_SnとO_N欠陥の相互不動態化によって説明した。計算したバンドギャップは非平衡無秩序度に依存して1.4~1.8eVの範囲であった。堆積後アニール試料における1.5eVの実験的に決定した値はこの間隔の範囲内にあり,無秩序制御による更なるバンドギャップ工学が適切なアニーリングプロトコルにより実行可能であることを示した。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 非化学量論 ,  太陽電池 ,  *励起子 ,  バンドギャップ ,  アクセプタ ,  非平衡状態 ,  半導体 ,  *光ルミネセンス ,  焼なまし ,  縮退 ,  モンテカルロ法 ,  不動態化 ,  規則度
準シソーラス用語： 第一原理計算 ,  無秩序性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 窒化亜鉛 ,  スズ ,  励起子 ,  光ルミネセンス ,  欠陥複合体