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J-GLOBAL ID：201802274481208116   整理番号：18A1028661

99%ピーク効率のGaNデバイスに基づくPVモジュールエミュレータ【JST・京大機械翻訳】

A PV module emulator based on GaN devices with over 99% peak efficiency

著者 (2件)： Erkaya Yunus (Virginia Institute of Photovoltaics, Old Dominion University, Norfolk, VA, USA) ,  Marsillac Sylvain (Virginia Institute of Photovoltaics, Old Dominion University, Norfolk, VA, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： PVSC  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文は,実際のPVモジュールの典型的な電圧-電流特性をエミュレートするために,GaN MOSFETを有する同期バックコンバータトポロジーを用いた光起電力(PV)モジュールエミュレータの新しいハードウェア設計を提示した。エミュレータは,最大48Vの入力と0~40Vと0~10Aの間の可変DC出力で動作することができる高い精度と分解能で,著しいコンパクト性を提供する高い電力密度を持っている。コンバータは0.1~1MHzの可変スイッチング周波数を使用し,99.4%の最大効率を測定した。PVモデリング,エミュレータ設計および実験結果を含む設計を行うために用いた方法を詳細に検討した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： モデリング ,  MOSFET ,  光起電力 ,  コンパクト性 ,  ハードウェア設計 ,  エミュレーション ,  電圧 ,  *窒化ガリウム ,  *エミュレータ ,  分解能 ,  電流
準シソーラス用語： スイッチング周波数 ,  電力密度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 電力変換器  (NB08030B)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaN ,  PV ,  モジュール ,  エミュレータ