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J-GLOBAL ID：201802274561188317   整理番号：18A0154461

単純および経済的なスクリーン印刷法で成長させた多結晶硫化ニッケル膜の物理的性質に関する研究【Powered by NICT】

Investigation on physical properties of polycrystalline nickel sulphide films grown by simple & economical screen-printing method

著者 (4件)： Kumar Vipin (Department of Physics, Krishna Institute of Engg. & Technology, Ghaziabad, India) ,  Sharma D.K. (Department of Physics, Krishna Institute of Engg. & Technology, Ghaziabad, India) ,  Sharma Kapil (Department of Physics, Krishna Institute of Engg. & Technology, Ghaziabad, India) ,  Dwivedi D.K. (Department of Physics, M.M.M University of Technology, Gorakhpur, India)
資料名： Optik  (Optik)
巻： 156  ページ： 43-48  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0251A  ISSN： 0030-4026  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 硫化ニッケル(NiS)膜は太陽電池,センサ,赤外検出器および光電気化学貯蔵デバイスにおける電極としての広範囲の応用を提供する。本研究では,硫化ニッケルはメカニカルアロイングによって合成し,厚膜を簡単で経済的なスクリーン印刷法とそれに続く焼結プロセスによってガラス基板上に堆積した。作製した膜の構造的,形態学的,元素的,光学的および電気的特性をX線回折(XRD),電界放出走査電子顕微鏡(FE SEM),エネルギー分散X線分析(EDAX),UV-VIS-NIR分光法とDC電気抵抗率測定を用いて特性化した。XRD研究は,膜の多結晶性を明らかにし,(100)面に沿って結晶粒の優先配向した六方晶構造を有していた。FE-SEM画像は,膜がほぼ球状クラスタと緻密な表面形態を持つことを示した。EDAX分析は調製した膜中のNi及びS元素の存在を確認した。膜の光学的性質を反射率測定により調べた。膜は約0.56eVの直接エネルギーバンドギャップを持つことが分かった。膜のDC電気抵抗率は二プローブ法により真空中で測定し,10~4Ωcmのオーダーであることが分かった。全てのこれらの特性は素子応用のためのこれらの膜の適合性を示した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電気抵抗率 ,  *ニッケル ,  電気的性質 ,  モルフォロジー ,  光学的性質 ,  優先配向 ,  *多結晶 ,  *硫化ニッケル ,  六方晶系 ,  太陽電池 ,  バンドギャップ ,  *スクリーン印刷
準シソーラス用語： 表面形態 ,  電界放出型走査電子顕微鏡 ,  ガラス基板 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： X線回折 ,  反射スペクトル ,  バンドギャップ ,  電気抵抗率

分類 (2件)： 光物性一般  (BM08010A) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 経済 ,  スクリーン印刷法 ,  成長 ,  多結晶 ,  硫化ニッケル ,  物理的性質 ,  研究