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J-GLOBAL ID：201802274635529504   整理番号：18A1029028

細胞特性に及ぼす注入レベル依存バルク寿命の影響【JST・京大機械翻訳】

Effects of injection-level dependent bulk lifetime on cell properties

著者 (2件)： Hieslmair Henry (SunEdison, Belmont, CA, USA) ,  Appel Jesse (SunEdison, Belmont, CA, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： PVSC  ページ： 1-6  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンバルク材料の注入レベル依存(ILD)寿命は,多重および過小評価法におけるセル特性に影響を及ぼす。フィルファクタFFは通常セル抵抗に起因するが,ILD寿命には起因しない。後方AlO_x不動態化を有する市販p型PERCセルの大部分の非理想挙動,m,およびJ_02は,正の傾斜ILD寿命と抵抗率に直接起因する。本研究では,理論と実験を通して,ILD寿命から生じる細胞計量の様々で直感的な側面を実証した。効率をより良く最適化するために付加的なセル計量を提案した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *不動態化 ,  電気抵抗率 ,  最適化 ,  多重化 ,  ケイ素
準シソーラス用語： フィルファクタ ,  過小評価 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： 細胞 ,  注入 ,  バルク ,  寿命