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J-GLOBAL ID：201802274968112539   整理番号：18A1028896

シリコンヘテロ接合太陽電池のマルチスケールモデリング【JST・京大機械翻訳】

Multiscale modeling of silicon heterojunction solar cells

著者 (4件)： Muralidharan Pradyumna (School of Electrical, Computer and Energy Engineering, Arizona State University, Tempe, Arizona 85287, United States of America) ,  Bowden Stuart (School of Electrical, Computer and Energy Engineering, Arizona State University, Tempe, Arizona 85287, United States of America) ,  Goodnick Stephen M. (School of Electrical, Computer and Energy Engineering, Arizona State University, Tempe, Arizona 85287, United States of America) ,  Vasileska Dragica (School of Electrical, Computer and Energy Engineering, Arizona State University, Tempe, Arizona 85287, United States of America)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： PVSC  ページ： 1-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 近年,薄い真性(HIT)不動態層を有するヘテロ接合太陽電池を形成するために非晶質シリコン(a-Si)を利用するシリコン光起電力技術は,25.6%の世界記録効率,高い充填因子および高い開回路電圧(V_OC>700mV)を含む高効率(>20%)を一貫して実証した。効率の更なる改善は,デバイス挙動をより良く理解するための厳密なアプローチを必要とする。本研究では,多重スケールシミュレーション法を適用することにより,ヘテロ接合セルの輸送とデバイス性能を解析した。著者らのマルチスケールソルバは,3つの主要領域から成る。ドリフト-拡散(DD)ドメイン,アンサンブルモンテカルロ(EMC)および運動論的モンテカルロ(KMC)ドメイン。著者らのマルチスケール法を用いて,結晶シリコン(c-Si)とa-Siヘテロ界面におけるa-Siと界面欠陥における中間ギャップ欠陥の役割を調べた。シミュレーションにより,界面における再結合が素子性能における重要な制限因子であることを示し,Sの形状電流電圧特性に寄与することを示した。また,ヘテロ界面における表面ポテンシャルの役割を調べるために,市販のデバイスシミュレータSILVACOを用いた。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ドリフト ,  アモルファスシリコン ,  光起電力 ,  シミュレーション ,  電流電圧特性 ,  不動態 ,  界面 ,  再結合 ,  *ケイ素 ,  *ヘテロ接合
準シソーラス用語： デバイスシミュレータ ,  ミッドギャップ ,  ヘテロ界面 ,  開回路電圧 ,  *ヘテロ接合太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (3件)： シリコン ,  ヘテロ接合太陽電池 ,  マルチスケールモデリング