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J-GLOBAL ID：201802275127037247   整理番号：18A0437933

AgBiSe_2熱電材料の結晶構造と輸送特性におよぼすTe置換の影響【Powered by NICT】

Effect of Te substitution on crystal structure and transport properties of AgBiSe₂ thermoelectric material

著者 (9件)： Goto Y. (Department of Physics, Tokyo Metropolitan University, Hachioji 192-0397, Japan. [e-mail]) ,  Nishida A. ,  Nishiate H. ,  Murata M. ,  Lee C. H. ,  Miura A. ,  Moriyoshi C. ,  Kuroiwa Y. ,  Mizuguchi Y.
資料名： Dalton Transactions  (Dalton Transactions)
巻： 47  号： 8  ページ： 2575-2580  発行年： 2018年 
JST資料番号： A0270A  ISSN： 1477-9226  CODEN： DTARAF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 銀ビスマスジセレニド(AgBiSe_2)は,効率的な熱電材料として注目されている,その本質的に低い格子熱伝導率によるものであった。固相反応を用いて合成した試料はn型伝導性を示し,それらの無次元性能指数(ZT)は,電子ドーピングによる~1に達したが,理論計算は,著しく高い熱電性能はp型AgBiSe_2で達成できることを予測した。本論文では,AgBiSe_2の結晶構造と熱電特性に及ぼすTe置換の効果,価電子帯のエネルギーポテンシャルの浅化による期待p型伝導率を示した。は固相反応を用いて調製した全てのAgBiSe_2 xTe_x(x=0 0.8)は300から750Kまでのn型伝導性を示すことが分かった。室温格子熱伝導率はTe置換固溶体の点欠陥散乱モデルを用いて定性的に記述した0.3Wm~ 1K~ 1に減少した。ZTは広い温度範囲で~0.6 0.8に達し,550から750Kまでの,増加した力率に起因することを示したが,キャリア濃度はまだ最適化されていない。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 性能指数 ,  *結晶構造 ,  キャリア密度 ,  *テルル ,  *熱電材料 ,  価電子バンド ,  固相反応 ,  固溶体 ,  力率
準シソーラス用語： 点欠陥散乱 ,  伝導率 ,  熱電特性 ,  電子ドーピング ,  格子熱伝導率 ,  *輸送特性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 熱電材料 ,  結晶構造 ,  輸送特性 ,  Te ,  置換