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J-GLOBAL ID:201802275181986496   整理番号:18A0573085

10.11%の効率を有するEDOT修正ベンゾジチオフェンドナーブロックを用いた高性能ワイドバンドギャップ共重合体【Powered by NICT】

High-Performance Wide Bandgap Copolymers Using an EDOT Modified Benzodithiophene Donor Block with 10.11% Efficiency
著者 (10件):
資料名:
巻:号:ページ: ROMBUNNO.201602773  発行年: 2018年 
JST資料番号: W2778A  ISSN: 1614-6832  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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3,4-エチレンジオキシチオフェン(EDOT)側鎖を有する新しく開発したベンゾ[1,2-b:4,5-b′]ジチオフェン(BDT)ブロックは,初めての効率的な光起電力共重合体を構築するために採用した。PBDTEDOT BTとPBDTEDOTFBT,得られた共重合体は1.80eV以上大きなバンドギャップ,BDTとEDOT骨格の間の増加した立体障害に起因した。双方の共重合体を満足吸収,低い最高被占分子軌道(HOMO)レベルと高い結晶性を有していた。フッ素化戦略を用いて,PBDTEDOT FBTは広く強い吸収とPBDTEDOT BTのそれよりも深いHOMOレベルを示した。PBDTEDOT FBT:[6,6]-フェニルC_71酪酸メチルエステル(PC_71BM)ブレンドもPBDTEDOTBT:PC_71BMブレンドと比較して,より高い正孔移動度と良好な表面形態を示した。以上の利点の組合せ,PBDTEDOT FBT素子は,10.11%の高い電力変換効率(PCE)を示し,0.86Vの改善された開回路電圧(V_oc),16.01mA cm~ 2の短絡電流密度(J_sc),充填因子(FF)72.6%であった。EDOT共役側鎖で修飾したBDTドナーブロックの新しく効率的な候補を提供するだけでなく,フッ素化と側鎖工学戦略の相乗効果による高分子太陽電池(PSCs)のための高性能大きなバンドギャップ共重合体を達成した。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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太陽電池  ,  高分子固体の物理的性質 
タイトルに関連する用語 (4件):
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