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J-GLOBAL ID：201802275217037620   整理番号：18A0265921

CoをドープしたSiC膜の構造と磁気的性質に及ぼす温度の影響【Powered by NICT】

Effect of temperature on the structure and magnetic properties of Co doped SiC films

著者 (10件)： Sun Xianke (Advanced Materials and Application Lab, College of Physics and Telecommunication Engineering, Zhoukou Normal University, Zhoukou, 466001, China) ,  Liu Jiwen (School of Material Science and Engineering, Tianjin University of Technology, Tianjin, 300384, China) ,  Liu Kuili (Advanced Materials and Application Lab, College of Physics and Telecommunication Engineering, Zhoukou Normal University, Zhoukou, 466001, China) ,  Wang Shaohui (Advanced Materials and Application Lab, College of Physics and Telecommunication Engineering, Zhoukou Normal University, Zhoukou, 466001, China) ,  Zhao Linlin (Advanced Materials and Application Lab, College of Physics and Telecommunication Engineering, Zhoukou Normal University, Zhoukou, 466001, China) ,  Qin Wei (Advanced Materials and Application Lab, College of Physics and Telecommunication Engineering, Zhoukou Normal University, Zhoukou, 466001, China) ,  Wang Gaoliang (Advanced Materials and Application Lab, College of Physics and Telecommunication Engineering, Zhoukou Normal University, Zhoukou, 466001, China) ,  Meng Ming (Advanced Materials and Application Lab, College of Physics and Telecommunication Engineering, Zhoukou Normal University, Zhoukou, 466001, China) ,  Li Jitao (Advanced Materials and Application Lab, College of Physics and Telecommunication Engineering, Zhoukou Normal University, Zhoukou, 466001, China) ,  Dong Xue (College of Aeronautical Engineering, Civil Aviation University of China, Tianjin, 300300, China)
資料名： Superlattices and Microstructures  (Superlattices and Microstructures)
巻： 107  ページ： 144-149  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0600B  ISSN： 0749-6036  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CoをドープしたSiC膜を高周波マグネトロンスパッタリングにより開発した。高温でアニーリングした後,膜の非晶質構造は3csic格子の構造と化合物CoSiの二次相に変換した。Co原子のいくつかは600°C以上の焼鈍温度の上昇とともにCo~2+イオンの形でSiC格子のCサイトを占有し始め,完全に1200°Cで化合物CoSiを形成した。アニーリング温度が800°C以下の場合,膜の飽和磁化はアニーリング温度の上昇につれて増加した。しかし,アニーリング温度が1000°C以上に上昇すると,膜の飽和磁化は明らかに減少した。膜中の化合物CoSiの形成は,ドープされたCo原子といくつか拡張欠陥から誘導された磁性を抑制した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  飽和磁化 ,  高温 ,  焼なまし ,  *磁気的性質 ,  磁性 ,  第二相 ,  *ドーピング
準シソーラス用語： 拡張欠陥 ,  アニーリング温度 ,  非晶質構造 ,  RFマグネトロンスパッタリング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： SiC ,  Coドープ ,  代替 ,  Ferromagnetism ,  欠陥

分類 (4件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  金属結晶の磁性  (BM06040T) ,  金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (4件)： CO ,  ドープ ,  SiC ,  磁気的性質