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J-GLOBAL ID：201802275267111133   整理番号：18A1028535

四端子GaAs/Siタンデム太陽電池の光損失解析【JST・京大機械翻訳】

Optical loss analysis of four-terminal GaAs/Si tandem solar cells

著者 (8件)： Liu Zhe (Solar Energy Research Institute of Singapore (SERIS), National University of Singapore (NUS), 117574 Singapore) ,  Ren Zekun (Singapore-MIT Alliance for Research and Technology (SMART), 138602 Singapore) ,  Liu Haohui (Solar Energy Research Institute of Singapore (SERIS), National University of Singapore (NUS), 117574 Singapore) ,  Sahraei Nasim (Singapore-MIT Alliance for Research and Technology (SMART), 138602 Singapore) ,  Lin Fen (Solar Energy Research Institute of Singapore (SERIS), National University of Singapore (NUS), 117574 Singapore) ,  Stangl Rolf (Solar Energy Research Institute of Singapore (SERIS), National University of Singapore (NUS), 117574 Singapore) ,  Buonassisi Tonio (Singapore-MIT Alliance for Research and Technology (SMART), 138602 Singapore) ,  Peters Ian Marius (Singapore-MIT Alliance for Research and Technology (SMART), 138602 Singapore)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： PVSC  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,変換効率21.3%の自家製4端子GaAs/Siタンデム太陽電池の損失解析を示した。電流損失は10の損失チャネルに破壊され,定量化される。個々の改善からの電流利得を予測するために,損失チャネルの一つに関連する各パラメータを,他のパラメータ定数を保ちながら,その理想値に設定した。この損失解析を用いて,三つの最も影響の大きい損失,すなわち上部セル金属格子反射(3.40mA/cm2),上部セル窓収集(2.06mA/cm2)および非理想反射防止被覆(1.96mA/cm2)の反射を同定し,さらにセルの最適化ステップを示唆した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電流 ,  チャネル ,  最適化 ,  *ヒ化ガリウム ,  反射防止膜
準シソーラス用語： 金属格子 ,  電流利得 ,  変換効率 ,  *光損失 ,  *タンデム太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaAs ,  Si ,  タンデム太陽電池 ,  光損失 ,  解析