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J-GLOBAL ID：201802275337072598   整理番号：18A0163109

有機電界効果トランジスタ(OFET)構造の比較【Powered by NICT】

The comparison of organic field effect transistor (OFET) structures

著者 (3件)： Fadliondi (Department of Electrical Engineering, Faculty of Engineering, Universitas Muhammadiyah Jakarta, Jakarta, Indonesia) ,  Isyanto Haris (Department of Electrical Engineering, Faculty of Engineering, Universitas Muhammadiyah Jakarta, Jakarta, Indonesia) ,  Chamdareno Prian Gagani (Department of Electrical Engineering, Faculty of Engineering, Universitas Muhammadiyah Jakarta, Jakarta, Indonesia)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ICFST  ページ： 6-9  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 基本的に,トップ接触トランジスタと底部接触トランジスタに大別されるペンタセンOFETの構造。トップコンタクトOFETは最初にペンタセン層はSiO_2上に形成されるが,その後,Au電極が形成されたOFETである。ペンタセン層上に微細加工技術を適用することは困難であるので,一般的には,Au電極は金属マスクを用いて,真空蒸着法により形成された。,小チャネル長を持つトップコンタクトのトランジスタを作製することは困難である。トップコンタクト構造は低接触抵抗とボトムコンタクト構造はより高い移動度を示した。一方,Au電極はSiO_2に形成されるボトムコンタクトOFETはOFETし,ペンタセンは電極上に形成された。微細加工技術はSiO_2上に電極を形成する際に適用できるので,ボトムコンタクト構造は小さなチャンネル長さを持つことができる。しかし,電極間のステップとゲート絶縁体であるため,ボトムコンタクト構造は,電極と半導体層の間の弱い連続性を持っている。これは高い接触抵抗,低移動度と高分散をもたらした。有機薄膜半導体を熱蒸着のようなスピンコーティングまたは乾燥プロセスのような湿式プロセスにより形成することができる。この研究で作製したトップコンタクトとボトムコンタクトOFETは,それぞれ0.2cm~2/(Vs)と0.02cm~2/(Vs)の移動度を有していた。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ゲート絶縁膜 ,  金 ,  スピンコーティング ,  接触抵抗 ,  真空蒸着 ,  移動度 ,  *トランジスタ ,  チャネル ,  半導体 ,  ポリアセン
準シソーラス用語： 有機薄膜 ,  ボトムコンタクト ,  トップコンタクト構造 ,  チャネル長 ,  *有機FET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (1件)： ペンタセン

タイトルに関連する用語 (2件)： 有機電界効果トランジスタ ,  OFET