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J-GLOBAL ID:201802275452849504   整理番号:18A1021410

Ge(001)基板上のCVDグラフェン合成の初期段階【JST・京大機械翻訳】

Early stage of CVD graphene synthesis on Ge(001) substrate
著者 (9件):
資料名:
巻: 134  ページ: 183-188  発行年: 2018年 
JST資料番号: H0270B  ISSN: 0008-6223  CODEN: CRBNA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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本研究では,Ge(001)表面上のグラフェンの化学蒸着の初期段階に光を当てた。μ-RamanおよびX線光電子分光法と走査型トンネル顕微鏡法および分光法を組み合わせて用いることにより,小さなグラフェンドメインと共存するグラフェン核形成に炭素前駆体相を個別化することができた。この前駆体相は,異なるサイズ,形状および局所秩序を持つC凝集体から成り,完全にsp2が混成していない。いくつかの原子サイズ領域において,これらの凝集体は,グラフェンの六方晶構造の最初の特徴と同様に,原子の線形配列を示した。炭素前駆体相は,Ge表面形態の再配列に関連して,秩序化過程を通してグラフェンドメイン中で進化する。この表面構造化は,グラフェン分域が単一層グラフェン膜を形成するために合体するとき,より長い堆積時間に対してGe(001)表面によって特徴付けられる丘と谷ファセットの胚ステージを表す。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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炭素とその化合物 
タイトルに関連する用語 (4件):
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