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J-GLOBAL ID：201802275458383498   整理番号：18A0151048

2Hポリタイプ合成MoS_2における窒素アクセプタ:周波数と温度依存ESR解析【Powered by NICT】

The Nitrogen Acceptor in 2H-Polytype Synthetic MoS₂: Frequency and Temperature Dependent ESR Analysis

著者 (3件)： Schoenaers Ben (Department of Physics and Astronomy, University of Leuven, 3001 Leuven, Belgium) ,  Stesmans Andre (Department of Physics and Astronomy, University of Leuven, 3001 Leuven, Belgium) ,  Afanas’ev Valery V. (Department of Physics and Astronomy, University of Leuven, 3001 Leuven, Belgium)
資料名： Physica Status Solidi. C. Current Topics in Solid State Physics  (Physica Status Solidi. C. Current Topics in Solid State Physics)
巻： 14  号： 12  ページ： ROMBUNNO.201700211  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1400A  ISSN： 1862-6351  CODEN： PSSCGL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2Hポリタイプバルク合成MoS_2におけるNアクセプタ(S部位を置換したN)を明らかにした最近の電子スピン共鳴(ESR)研究の拡張では,ドーパントはその周波数,温度(T),磁場角度依存ESRスペクトル特性の観点から解析されている。B//c-axisでは,超微細分裂定数A_//=14.7±0.2G(B//c-axis)と~14N超微細(hf)三重項で構成されると全スペクトル強度の約74%,ほぼ同じg値[g_//=2.032(2)]を中心と中心線に重畳を構成するとして多周波数解析をESRスペクトルを確認した。後者の信号の存在は,クラスタリング,ドーパント分布のいくつかの不均一性を示している優先「孤立」ドーパント配置で取り込まれたNに由来しない全N応答の約26%であった。角度依存性の測定から,Hfマトリックスの異なる異方性を明らかにし,広い温度範囲にわたるESRプローブは約150K以上のTの増加により劇的信号広がりを明らかにする一方,QバンドでNアクセプタ信号強度対Tの詳細な研究は活性化エネルギーE_a=50±10meVを明らかにし,ここで最初に報告された値を。MoS_2のための適切なp型ドーパントとしてS部位置換型N不純物を明らかにに加えて,ESR研究をNアクセプタESR特性の基本的なフレームを確立し,さらに詳細な理論的閲覧への道を与えた。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 異方性 ,  *ポリタイプ ,  不純物 ,  スペクトル線強度 ,  角度依存性 ,  不均一性 ,  ドーパント ,  *周波数 ,  *温度依存性 ,  ESR【磁気共鳴】 ,  三重項 ,  プローブ ,  活性化エネルギー ,  *アクセプタ
準シソーラス用語： ESRスペクトル , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： ドーパント活性化エネルギー ,  E PR ,  二硫化モリブデン ,  Nアクセプタ ,  置換p型ドーピング ,  合成2H MoS2 ,  TMD

分類 (4件)： 金属・半導体のEPR  (BM07022M) ,  無機化合物のルミネセンス  (BM08093J) ,  有機化合物のEPR  (BM07024U) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： ポリタイプ ,  窒素 ,  アクセプタ ,  温度依存 ,  ESR ,  解析