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J-GLOBAL ID：201802275493831204   整理番号：18A0969544

薄い閉込め多角形ナノ構造におけるスキルミオン状態【JST・京大機械翻訳】

Skyrmion states in thin confined polygonal nanostructures

著者 (11件)： Pepper Ryan Alexander (Faculty of Engineering and the Environment, University of Southampton, Southampton SO17 1BJ, United Kingdom) ,  Beg Marijan (Faculty of Engineering and the Environment, University of Southampton, Southampton SO17 1BJ, United Kingdom) ,  Cortes-Ortuno David (Faculty of Engineering and the Environment, University of Southampton, Southampton SO17 1BJ, United Kingdom) ,  Kluyver Thomas (Faculty of Engineering and the Environment, University of Southampton, Southampton SO17 1BJ, United Kingdom) ,  Bisotti Marc-Antonio (Faculty of Engineering and the Environment, University of Southampton, Southampton SO17 1BJ, United Kingdom) ,  Carey Rebecca (Faculty of Engineering and the Environment, University of Southampton, Southampton SO17 1BJ, United Kingdom) ,  Vousden Mark (Faculty of Engineering and the Environment, University of Southampton, Southampton SO17 1BJ, United Kingdom) ,  Albert Maximilian (Faculty of Engineering and the Environment, University of Southampton, Southampton SO17 1BJ, United Kingdom) ,  Wang Weiwei (Department of Physics, Ningbo University, Ningbo 315211, China) ,  Hovorka Ondrej (Faculty of Engineering and the Environment, University of Southampton, Southampton SO17 1BJ, United Kingdom) ,  Fangohr Hans (Faculty of Engineering and the Environment, University of Southampton, Southampton SO17 1BJ, United Kingdom)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 123  号： 9  ページ： 093903-093903-7  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近の研究は,安定化した磁場が存在しないと,薄膜FeGeディスクナノ構造において,スキルミオン状態が基底状態になり得ることを示している。本研究では,二乗および三角形のようなスキルミオンの円筒対称性に一致しない形状において,閉じ込めによるスキルミオン構造のこの安定化が存在するかどうかを調べることにより,この理解を進めた。シミュレーションを用いて,スキルミオン状態が,適用場の不在下で,10nm厚さの三角形および正方形形状FeGeナノ構造の両方において,一連のシステムサイズに対して基底状態を形成できることを示した。さらに,予測の実験的検証を支援するためのデータを提供した。システムが磁場が除去される前に強い印加場で飽和される実験を模擬するために,時間発展を計算し,一様なアラインメントから出発して,磁化場の最終平衡配置を示した。(翻訳著者抄録)【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 薄膜 ,  *スキルミオン ,  基底状態 ,  *ナノ構造 ,  円筒対称性 ,  円板 ,  磁場 ,  アラインメント ,  磁化 ,  時間発展
準シソーラス用語： 印加電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 金属の磁区及び磁化過程  (BM06112D) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 閉込め ,  多角形 ,  ナノ構造 ,  スキルミオン