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J-GLOBAL ID：201802275577365845   整理番号：18A1679633

高k/金属ゲートp-CMOSFETの超高速NBTIにおける時間指数シフトの基礎となる物理的機構【JST・京大機械翻訳】

Physical Mechanism Underlying the Time Exponent Shift in the Ultra-fast NBTI of High-k/Metal gated p-CMOSFETs

著者 (12件)： ZhOU Longda (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, China) ,  Tang Bo (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100029, China) ,  Yang Hong (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, China) ,  Xu Hao (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100029, China) ,  Li Yongliang (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100029, China) ,  Simoen Eddy (IMEC, Kapeldreef 75, 3001, Leuven, Belgium) ,  Yin Huaxiang (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, China) ,  Zhu Huilong (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100029, China) ,  Zhao Chao (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, China) ,  Wang Wenwu (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, China) ,  Chen Dapeng (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100029, China) ,  Ye Tianchun (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100029, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： IPFA  ページ： 1-6  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,超高速法を用いて,pチャネル相補型金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(p-CMOSFET)における負バイアス温度不安定性(NBTI)のしきい値電圧シフト(ΔV_T)を,高klメタルゲート(HK/MG)スタックを用いて測定した。NBTI時間指数(n)の電圧(Vg,str)および温度(T)依存性を広範囲の応力条件下で研究し,その結果は室温(RT)以上でnの強いT依存性を示し,磁場還元効果はVg,strおよびTに対するnの依存性を決定する上で重要な役割を果たすことを示した。直流電流-電圧(DCIV)法により,トラップ生成(ΔN_T)とΔV_Tの間のn,活性化エネルギー(EA)と電圧加速因子(Γ)の類似性は,ΔN_TがTのより高い値で支配的な副成分であることを示す。ΔV_TとΔV_T,EA,およびΓの時間指数に及ぼす電界低減効果の影響も研究した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： FET【トランジスタ】 ,  磁場 ,  チャネル ,  類似性 ,  直流 ,  電圧 ,  活性化エネルギー ,  電場 ,  *CMOS
準シソーラス用語： 低減効果 ,  閾値電圧シフト ,  *NBTI ,  *超高速 ,  *メタルゲート , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (7件)： 金属ゲート ,  CMOSFET ,  NBTI ,  指数 ,  シフト ,  基礎 ,  物理