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J-GLOBAL ID：201802275593150162   整理番号：18A0532537

電位差測定とアンペロメトリーモードにおけるSECMを用いたpHイメージングのための新しい二重Pt Pt/IrO-超微小電極【Powered by NICT】

Novel dual Pt-Pt/IrO ultramicroelectrode for pH imaging using SECM in both potentiometric and amperometric modes

著者 (5件)： Zhu Zejie (Department of Chemistry, Zhejiang University, Hangzhou, 310027, PR China) ,  Ye Zhenni (Department of Chemistry, Zhejiang University, Hangzhou, 310027, PR China) ,  Zhang Qinhao (Department of Chemistry, Zhejiang University, Hangzhou, 310027, PR China) ,  Zhang Jianqing (Department of Chemistry, Zhejiang University, Hangzhou, 310027, PR China) ,  Cao Fahe (Department of Chemistry, Zhejiang University, Hangzhou, 310027, PR China)
資料名： Electrochemistry Communications  (Electrochemistry Communications)
巻： 88  ページ： 47-51  発行年： 2018年 
JST資料番号： W1133A  ISSN： 1388-2481  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電位差走査型電気化学顕微鏡法(SECM)を走査プローブとしてイオン選択超微小電極(UME)を用いてミクロン及びサブミクロンスケールでマッピングできる電極/電解質界面でのpH分布を可能にした。しかし,この技術はチップ-基板距離の正確な制御を欠いていた。アンペロメトリック及びポテンショメトリック両SECM(走査電気化学顕微鏡)モードを用いた正確なチップ-基板距離制御を持つ316Lステンレス鋼(316L SS)腐食過程の局所in situ pH可視化のための新しい二重Pt Pt/IrO_UMEを提案した。この二重UME配置で得られたCOMSOLと実験的アプローチ曲線に基づくシミュレーションを用いて,チップ-基板距離を確立する正確にした。このプローブ配置を同じpHのバルク電解質と共に使用した場合,より高いpH値は,より小さなチップ-基板分離で観察された。さらに,腐食過程中の局所アノードおよびカソード域が形成され,消失し,316L-SSの局部腐食と再不動態化の結果として,12μmの垂直チップ-基板距離で再生が観察された。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電解質 ,  *微小電極 ,  ステンレス鋼 ,  走査 ,  アノード ,  腐食 ,  プローブ ,  *電位差測定法 ,  局部腐食 ,  カソード
準シソーラス用語： 再不動態化 ,  COMSOL ,  走査型電気化学顕微鏡 ,  走査型電気化学顕微鏡法 ,  *電位差 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 二重UME ,  pH分布 ,  複合モード ,  SECM ,  ステンレス鋼

分類 (2件)： 顕微鏡法  (BK01040E) ,  電気化学反応  (CB07050F)

タイトルに関連する用語 (5件)： 電位差測定 ,  pH ,  イメージング ,  Pt ,  微小電極