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J-GLOBAL ID：201802275666175837   整理番号：18A0201197

スプリットゲート1~第発生SuperFlashのIV曲線へのLsg/Lfg比変動の影響【Powered by NICT】

Effect of Lsg/Lfg ratio variation to the IV curve of split-gate 1^st generation superflash

著者 (6件)： Kartiwa Gilang Mardian ,  Hendrayana Yusuf H. ,  Prihatiningrum Novi ,  Sulthoni M. Amien ,  Surawijaya Akhmadi ,  Idris Irman
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ISESD  ページ： 264-267  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SST1~世代splitgateフラッシュメモリセルを含むシミュレーションがとられている。IV曲線の結果と同様にプログラム-消去サイクル中の浮遊ゲートの平均電子密度にLfg比異なるLsgの効果を調べた。は0.37,0.50,および0.65Lsg/Lfg比を用いた。は一般的に,Lsg/Lfg比(0.37~0.50)における増加は,プログラムしきい値電圧と同時に結果を与え,三比(0.65)を除いて消去しきい値電圧を低下させることが分かった。結果をLsg/Lfg増加として有意な上昇を示し,プログラム-消去サイクルを通してフローティングゲートの平均電子密度を調べることにより確認した。プログラミングしきい値電圧は主にフローティングゲートにおける平均電子密度によって決定されることが示されるであろうが,しきい値電圧シフトはプログラムされた状態と消去状態におけるフローティングゲートの平均電子密度の差によって決まる。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： フローティングゲート ,  *電子密度 ,  計算機プログラミング
準シソーラス用語： 閾値電圧シフト ,  閾値電圧 ,  *スプリットゲート , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (2件)： スプリットゲート ,  曲線