抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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スピン転送トルク磁気抵抗ランダムアクセスメモリ(ST-MRAM)は,高密度,低漏れ電力,高速読出し速度,および非揮発性を有する有望なメモリ技術であり,大容量を有するオンチップ・レベルキャッシュに適している。最近では,マルチレベルセル(MLC)ST-MRAMは,より大きなオンチップキャッシュを構築するための密度をさらに改善するために,単一セルにおける2つのビットを記録する。しかし,MLCはエネルギー消費と耐久性を悪化させる。そのハードおよびソフトドメインの磁化方向は,同時に2つの反対方向にフリップすることができない。それは,2ビット値を更新する特定の組合せのための2段階遷移問題をもたらす。二段階転移はソフトドメインにおける余分なフリップを招き,高エネルギーを消費し,MLC ST-MRAMの寿命に負の影響を与える。本論文では,MLCにおける高い書込みエネルギー問題を軽減するための新しい次元を提示した。キャッシュ交換の間に,キャッシュ性能に及ぼす最小の影響で書込みエネルギーを低くするために,置換のためにLRU位置に近いいくつかの候補ブロックを選択した。著者らは,いくつかのビットを有する全体のブロックを表現するために新しいブロックコンテンツ符号化方法を提案して,より良いキャッシュ置換のために符号化ビットを使用した。置換ブロックを採取した後に,各更新2ビット値の知的remaを適用して,書込みエネルギーをさらに低減した。性能評価結果により,このコンテンツ認識キャッシュ置換は,通常の擬似LRU置換ポーリングを用いたMLCキャッシュと比較して,書込みエネルギーを26.1%低くすることができることを示した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】
