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J-GLOBAL ID:201802275946293349   整理番号:18A0937533

可視光光触媒水素発生を改善するための欠陥媒介界面酸化による多孔質窒化炭素【JST・京大機械翻訳】

Porous carbon nitride with defect mediated interfacial oxidation for improving visible light photocatalytic hydrogen evolution
著者 (12件):
資料名:
巻: 232  ページ: 384-390  発行年: 2018年 
JST資料番号: W0375A  ISSN: 0926-3373  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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界面酸化還元反応の容易性は光触媒水分解過程における水素発生に決定的役割を持つ。ここでは,欠陥を有する多孔質グラファイト窒化炭素(Pg-C_3N_4)の界面酸化能力の促進が,可視光光触媒水素発生(PHE)活性を効果的に改善できることを報告した。エッジサイト欠陥を有するPg-C_3N_4を,多孔質カオリナイト誘導鋳型上のg-C_3N_4の成長を制約することによって製造した。濃縮された基底面孔によって引き起こされた欠陥の余分な電子を有するPg-C_3N_4は,還元プロセスと比較して,酸化プロセスに対してより高い電極触媒活性を示した。この特徴は,光触媒反応過程の間の光励起正孔をクエンチする電子移動反応をもたらし,光電子反応を促進する。それは,Pg-C_3N_4とg-C_3N_4の光ルミネセンススペクトルと,TiO_2によるヘテロ接合材料の異なるPHE活性変化によって証明された。結果は,Pg-C_3N_4に対するPHE速度が,可視光照射下で,1917umol-1g(-1)h(-1)に達し,g-C_3N_4の2.37倍に達することを示した。光触媒水分解の間のホールの酸化反応を加速するための工学的界面欠陥のこのアプローチは,太陽燃料生産のための二次元(2D)触媒を進歩させるであろう。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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光化学反応 

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