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J-GLOBAL ID：201802275955747949   整理番号：18A1725377

インジウムドープTiO_2薄膜の構造,光学および電気特性に及ぼす成長技術の影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of growth techniques on the structural, optical and electrical properties of indium doped TiO₂ thin films

著者 (21件)： Al mashary Faisal S. (School of Physics and Astronomy, University of Nottingham, Nottingham, NG7 2RD, United Kingdom) ,  Al mashary Faisal S. (Department of Physics, College of Science, Qassim University, Buraydah, 14452, Saudi Arabia) ,  de Castro Suelen (Departamento de Fisica, Universidade Federal de Sao Carlos, Sao Carlos, 13560-905, Brazil) ,  da Silva Arlon Fernando (Institute of Physics, Universidade de Brasilia, Brasilia, DF, 70910-900, Brazil) ,  Felix Jorlandio Francisco (Institute of Physics, Universidade de Brasilia, Brasilia, DF, 70910-900, Brazil) ,  Piton Marcelo Rizzo (Departamento de Fisica, Universidade Federal de Sao Carlos, Sao Carlos, 13560-905, Brazil) ,  Galeti Helder Vinicius Avanco (Departamento de Fisica, Universidade Federal de Sao Carlos, Sao Carlos, 13560-905, Brazil) ,  De Giovanni Rodrigues Ariano (Departamento de Fisica, Universidade Federal de Sao Carlos, Sao Carlos, 13560-905, Brazil) ,  Gobato Yara Galvao (Departamento de Fisica, Universidade Federal de Sao Carlos, Sao Carlos, 13560-905, Brazil) ,  Al Saqri Noor (School of Physics and Astronomy, University of Nottingham, Nottingham, NG7 2RD, United Kingdom) ,  Henini Mohamed (School of Physics and Astronomy, University of Nottingham, Nottingham, NG7 2RD, United Kingdom) ,  Henini Mohamed (UNESCO-UNISA Africa Chair in Nanoscience & Nanotechnology Laboratories, College of Graduate Studies, University of South Africa (UNISA), Muckleneuk Ridge, PO Box 392, Pretoria, South Africa) ,  Al huwayz Maryam M. (School of Physics and Astronomy, University of Nottingham, Nottingham, NG7 2RD, United Kingdom) ,  Albadri Abdulrahman M. (National Center for Nanotechnology and Advanced Materials, King Abdulaziz City for Science and Technology, Riyadh, 11442, Saudi Arabia) ,  Alyamani Ahmed Y. (National Center for Nanotechnology and Advanced Materials, King Abdulaziz City for Science and Technology, Riyadh, 11442, Saudi Arabia) ,  Albrithen Hamad A. (National Center for Nanotechnology and Advanced Materials, King Abdulaziz City for Science and Technology, Riyadh, 11442, Saudi Arabia) ,  Albrithen Hamad A. (Physics and Astronomy Department, ALASeR/KAIN, King Saud University, Riyadh, 11451, Saudi Arabia) ,  Alhusaini Sami A. (National Center for Nanotechnology and Advanced Materials, King Abdulaziz City for Science and Technology, Riyadh, 11442, Saudi Arabia) ,  Aljaber Khalid M. (National Center for Nanotechnology and Advanced Materials, King Abdulaziz City for Science and Technology, Riyadh, 11442, Saudi Arabia) ,  Alanazi Ali Z. (National Center for Nanotechnology and Advanced Materials, King Abdulaziz City for Science and Technology, Riyadh, 11442, Saudi Arabia) ,  Alghamdi Fahad S. (National Center for Nanotechnology and Advanced Materials, King Abdulaziz City for Science and Technology, Riyadh, 11442, Saudi Arabia)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 766  ページ： 194-203  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： パルスレーザ蒸着(PLD)とスパッタリング法により成長させたインジウムドープTiO_2薄膜における構造的,電気的および光学的に活性な欠陥に及ぼす成長技術の影響を調べた。X線回折(XRD)およびRaman分光パターンは,スパッタリング試料に対してルチルおよびアナターゼ相の両方を明らかにした。一方,PLD試料ではアナターゼ相のみが観察された。光ルミネセンス(PL)スペクトルは,欠陥関連の光学遷移によって説明されるいくつかのピークを明らかにした。特に,PLバンドはアナターゼ/ルチルTiO_2相と完全に一致し,著者らの試料の調製中にIn_2O_3が形成された。また,-4Vの逆バイアスでは,PLD試料は,スパッタリング試料(~5.9×10-7A)と比較して,より低い漏れ電流(~1.4×10-7A)を有することが観察された。さらに,PLD試料は,スパッタリングで成長させたものと比較して,より低い理想因子とより高い障壁高さを示した。最後に,Deepレベル過渡分光法(DLTS)測定はPLD試料において1つの欠陥のみを示したが,5つの欠陥がスパッタリング試料において検出された。したがって,著者らの結果は,PLD技術がInドープTiO_2薄膜の成長に適しているという強い証拠を提供する。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： アナターゼ ,  パルスレーザ蒸着 ,  X線回折 ,  光ルミネセンス ,  スパッタリング ,  スパッタ蒸着 ,  ルチル ,  *薄膜成長 ,  スペクトル ,  漏れ電流 ,  *薄膜 ,  *ドーピング ,  深準位過渡分光法
準シソーラス用語： 障壁高さ ,  理想因子 ,  逆バイアス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： InドープTiO_2 ,  パルスレーザ蒸着 ,  スパッタリング ,  XRD ,  光ルミネセンス ,  深準位過渡分光法

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： インジウム ,  ドープ ,  薄膜 ,  光学 ,  電気特性 ,  成長