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J-GLOBAL ID：201802276036628637   整理番号：18A0405032

Nb空格子点の影響とNbCoSn NbCoSbハーフホイスラー熱電材料のp型ドーピング【Powered by NICT】

Impact of Nb vacancies and p-type doping of the NbCoSn-NbCoSb half-Heusler thermoelectrics

著者 (4件)： Ferluccio Daniella A. (Institute of Chemical Sciences and Centre for Advanced Energy Storage and Recovery, School of Engineering and Physical Sciences, Heriot-Watt University, Edinburgh, EH14 4AS, UK. [e-mail]) ,  Smith Ronald I. ,  Buckman Jim ,  Bos Jan-Willem G.
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 20  号： 6  ページ： 3979-3987  発行年： 2018年 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半ホイスラーNbCoSnとNbCoSbは有望な熱電特性を有していた。NbCo_1+ySn_1 zSb_z(y=0,0.05; 0≦z≦1)固溶体の研究を提示した。添加では,TiとZr置換を用いたNbCoSnのp型ドーピングを研究した。Rietveld解析は,NbCoSn中のSbの置換によるn型ドーピングを補償するためにNb空格子点のなだらかな生成を明らかにした。NbCo_1+ySn_1 zSb_z試料(z>0)に対して類似の価電子数(~18.25)をもたらした。Nb空格子点に起因する質量変動障害は,格子熱伝導率を減少させるから10Wm~ 1K~ 1(z=0)4.5Wm~ 1K~ 1(z=0.5, 1)。これは大きな力率,S~2/ρ=2.5 3mW m~ 1K~ 2をもたらす縮退半導体挙動への遷移を伴い,メリット,773K TiでZT=0.25 0.33とZrの値は773Kで20%Zrの正のSeebeck値,例えばS=μV K~ 1を達成するために使用することができた。しかし,電気抵抗率,ρ_323K=27 35mΩcm,は有用なp型材料であると考えられるこれらの材料には大きすぎるのままである。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 価電子 ,  ジルコニウム ,  固溶体 ,  *アンチモン ,  Rietveld法 ,  チタン ,  力率 ,  *熱電材料 ,  電気抵抗率 ,  *ニオブ
準シソーラス用語： 縮退半導体 ,  格子熱伝導率 ,  n型ドーピング ,  熱電特性 ,  *p型ドーピング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  熱電デバイス  (NC03090J) ,  その他の無機化合物の結晶構造  (BK07030J)

タイトルに関連する用語 (5件)： Nb ,  空格子点 ,  ホイスラー ,  熱電材料 ,  p型ドーピング