Thiyagarajan R. について
Center for High Pressure Science and Technology Advanced Research (HPSTAR), Shanghai 201203, PR China について
Yan Xiaozhi について
Center for High Pressure Science and Technology Advanced Research (HPSTAR), Shanghai 201203, PR China について
Pazhanivelu V. について
Department of Physics, Anna University (MIT Campus), Chennai 600044, India について
Selvadurai A. Paul Blessington について
Department of Physics, Anna University (MIT Campus), Chennai 600044, India について
Murugaraj R. について
Department of Physics, Anna University (MIT Campus), Chennai 600044, India について
Yang Wenge について
Center for High Pressure Science and Technology Advanced Research (HPSTAR), Shanghai 201203, PR China について
Yang Wenge について
High Pressure Synergetic Consortium (HPSynC), Geophysical Laboratory, Carnegie Institution, Argonne, IL 60439, USA について
Journal of Alloys and Compounds について
ドーピング について
イオン について
核間距離 について
相転移 について
Raman分光法 について
アルカリ金属 について
半導体 について
高圧 について
格子歪 について
半導体材料 について
酸化亜鉛 について
結晶粒径 について
バンドギャップ について
輸送特性 について
構造安定性 について
金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造 について
固相転移 について
高圧 について
ZnO について
構造安定性 について
輸送特性 について
アルカリ金属元素 について
ドーピング効果 について