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J-GLOBAL ID：201802276598703788   整理番号：18A0578898

バッファフリーIrMnベーススピンバルブ構造における短絡電流の低減【Powered by NICT】

Reduction of shunt current in buffer-free IrMn based spin-valve structures

著者 (3件)： Kocaman B. (Department of Physics, Gebze Technical University, 41400 Gebze, Kocaeli, Turkey) ,  Akdogan N. (Department of Physics, Gebze Technical University, 41400 Gebze, Kocaeli, Turkey) ,  Akdogan N. (Institute of Nanotechnology, Gebze Technical University, 41400 Gebze, Kocaeli, Turkey)
資料名： Journal of Magnetism and Magnetic Materials  (Journal of Magnetism and Magnetic Materials)
巻： 456  ページ： 17-21  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0644A  ISSN： 0304-8853  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 磁気センサデバイスにおける厚いバッファ層の存在は,短絡電流によるセンサ感度を低下させた。この動機により,バッファ層を用いずにIrMnベーススピンバルブ多層膜を生成した。も系の交換バイアス磁場(H_EB)とブロッキング温度(T_B)に及ぼすポストアニーリングとIrMn厚さの影響を調べた。磁化測定では,両H_EBとT_B値はIrMn層のポストアニーリングによって著しく高められることを示した。添加では,システムのIrMn厚さはスピンバルブ構造の磁化と輸送特性に強く影響することを報告した。は最低の短絡電流と高いブロッキング温度(>300 K)を達成するためにIrMn層の最小厚さは6nmであることを見出した。もデバイス応用のためのIrMnベーススピンバルブ構造の長期耐久性をチェックするために交換バイアスのトレーニングを検討した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *短絡電流 ,  磁場 ,  多層膜 ,  バッファ層 ,  センサ ,  磁気 ,  磁化特性測定
準シソーラス用語： 長期耐久性 ,  輸送特性 ,  ポストアニーリング ,  ブロッキング温度 ,  交換バイアス ,  センサデバイス ,  *スピンバルブ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 金属結晶の磁性  (BM06040T)

タイトルに関連する用語 (3件)： バッファ ,  スピンバルブ構造 ,  短絡電流