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J-GLOBAL ID：201802276651585911   整理番号：18A0938540

その場透過電子顕微鏡によるNi/6H-SiCと炭素再分布の界面反応の直接観察【JST・京大機械翻訳】

Direct observation of interfacial reaction of Ni/6H-SiC and carbon redistribution by in situ transmission electron microscopy

著者 (3件)： Kwon Yena (School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon 16419, Republic of Korea) ,  An Byeong-Seon (School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon 16419, Republic of Korea) ,  Yang Cheol-Woong (School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon 16419, Republic of Korea)
資料名： Materials Characterization  (Materials Characterization)
巻： 140  ページ： 259-264  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0448C  ISSN： 1044-5803  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ni/SiCの界面反応は,SiC基板が優れた化学的および熱的安定性と低い電気抵抗率を有し,種々のデバイス応用にとって不可欠な特性であるため,かなりの注目を集めている。しかし,低温での初期反応と正確な機構に関する研究は現在不十分である。そのため,6H-SiC基板上のNi膜の反応と550°Cでの炭素の挙動を,その場加熱中の透過型電子顕微鏡(TEM)による直接観察により調べた。550°Cで,Ni_31Si_12相はNiとSiCの反応の間に形成した。反応フロントが6H-SiC基板に向かって進行し,分解SiCから炭素原子がグラファイトに変換されるにつれて,Niけい化物層が厚くなった。さらに,炭素は3つの領域に存在した。最初に,炭素は初期反応の間にNiケイ化物層の外部表面上にグラファイトとして存在した。第二に,グラファイトはNi膜と6H-SiC基板の間の元の界面に形成された。最後に,ケイ化物中の低い拡散率のために,炭素はNiけい化物領域の底に存在した。Ni,SiおよびCの元素分布を種々の分析技術により詳細に観察した。550°CでのNiとSiCの反応機構と炭素原子の分布を実証した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電気抵抗率 ,  熱安定性 ,  初期反応 ,  *界面 ,  グラファイト ,  ケイ化物 ,  *ニッケル ,  *透過型電子顕微鏡 ,  拡散係数 ,  *炭化ケイ素 ,  *炭素 ,  反応機構
準シソーラス用語： *6H-SiC ,  炭化ケイ素基板 ,  *界面反応 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： Niシリサイド ,  グラファイト ,  その場透過型電子顕微鏡

分類 (3件)： ろう付  (WC07050C) ,  変態組織,加工組織  (WB01030N) ,  分散強化合金  (WE04030R)

タイトルに関連する用語 (6件)： 透過電子顕微鏡 ,  Ni ,  6H-SiC ,  炭素 ,  再分布 ,  界面反応