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J-GLOBAL ID：201802276690981026   整理番号：18A1895292

スピントロニクスのための2D材料とデバイス:第一原理研究【JST・京大機械翻訳】

2D Materials and Devices for Spintronics: First-Principles Studies

著者 (5件)： Wu Qingyun (Department of Materials Science and Engineering, National University of Singapore, Singapore) ,  Zheng Minggang (A*STAR, Data Storage Institute, Singapore) ,  Chintalapati Sandhya (Division of Physics and Applied Physics, Nanyang Technological University, Singapore) ,  Shen Lei (Engineering Science Programme, National University of Singapore, Singapore) ,  Feng Yuan Ping (Department of Physics, National University of Singapore, Singapore)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： ICAUMS  ページ： 1  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スピントロニクスの成功の鍵は,適切な材料の同定とデバイスにおけるそれらの性能の評価である。実験研究は時間を要し,多くの資源を必要とするが,計算研究,特に第一原理計算は重要な役割を果たしている。このような方法を用いて,一連の材料を研究し,スピントロニクス素子の概念設計を行った。以前の研究において,[1],[2],ジグザググラフェンナノリボンに基づくスピン論理ゲートを提案した。しかしながら,いくつかの課題はグラフェンベースのスピントロニクスデバイスのためにまだ残っており,それらの一つは金属からグラフェンへのスピン注入の低い効率である。第一原理計算により,金属鉛からグラフェンへのスピン注入効率は,電極とグラフェンの間に六方晶窒化ホウ素(h-BN)を用いることにより強化できることを見出した。[3]著者らは,フォスフェレンナノリボン(PNRs)の輸送特性も調べた。グラフェンとMoS2ナノリボンとは対照的に,低バイアス下のキャリア輸送チャネルは主にアームチェアとジグザグPNRsの両方の内部に位置し,少量のエッジ欠陥に免疫される。高いオン/オフ比デュアルゲートFETを,PNRsを用いて達成することができた。[4]著者らの最近の計算は,P空孔も外部歪のみがホスホレンにおいて磁性をもたらさないにもかかわらず,空孔と歪の相互作用によって,ホスフェレンが磁気的に作られることを明らかにした。P空格子点を含むホスホレンのジグザグ方向に沿った二軸歪または一軸歪のいずれかが4%に達するとき,この系は空孔サイト当たり1μ_Bの磁気モーメントを有するスピン分極状態を好んだ。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *スピントロニクス ,  チャネル ,  バイアス ,  相互作用 ,  *二次元 ,  磁気モーメント ,  スピン分極 ,  折れ線 ,  磁性 ,  *第一原理 ,  グラフェン
準シソーラス用語： フォスフォレン ,  ナノリボン ,  グラフェンナノリボン ,  第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (4件)： スピントロニクス ,  2D ,  第一原理 ,  研究