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J-GLOBAL ID：201802276753300052   整理番号：18A1575193

窒化ガリウムグリーンLEDにおける正孔電流分布に及ぼすVピットの影響【JST・京大機械翻訳】

Influence of V-shaped Pits on Hole Current Distribution in GaN-based Green LED

著者 (7件)： Xu Yi (南昌大学 国家硅基LED工程技術研究中心,江西 南昌,330047) ,  Wu Qingfeng (南昌大学 国家硅基LED工程技術研究中心,江西 南昌,330047) ,  Zhou Shengjun (武漢大学 動力与机械学院,湖北 武漢,430072) ,  Pan Shuan (南昌大学 国家硅基LED工程技術研究中心,江西 南昌,330047) ,  Wu Xiaoming (南昌大学 国家硅基LED工程技術研究中心,江西 南昌,330047) ,  Zhang Jianli (南昌大学 国家硅基LED工程技術研究中心,江西 南昌,330047) ,  Quan Zhijue (南昌大学 国家硅基LED工程技術研究中心,江西 南昌,330047)
資料名： Faguang Xuebao  (Faguang Xuebao)
巻： 39  号： 5  ページ： 674-680  発行年： 2018年 
JST資料番号： W1380A  ISSN： 1000-7032  CODEN： FAXUEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 実験と理論シミュレーションを組み合わせて,GaNベース緑色発光ダイオード(LED)における正孔電流分布に及ぼすVピットの影響を研究した。まず、実験を通じて、Vピット面積が異なる3種類のサンプルを獲得し、次に、数値モデルを構築し、理論計算の外部量子効率(EQE)及び電圧と実験テストの変化傾向を整合させ、それによって数値モデルの信頼性を確立した。計算結果により、Vピットは正孔電流の分布を変化させ、正孔電流密度はVピットで顕著に増加し、プラットフォームでは明らかに減少することが明らかになった。更なる分析は,Vピットの面積が010%の範囲を占めるとき,Vピットの正孔電流がVピットの面積と比例してほぼ直線的に増加する(勾配は2.06)が,Vピットの正孔注入は正孔注入の過程では支配的でないことを示した。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電圧 ,  *窒化ガリウム ,  *電流 ,  シミュレーション ,  *正孔 ,  *電流分布 ,  電流密度 ,  信頼性
準シソーラス用語： 正孔注入 ,  外部量子効率 ,  理論計算 ,  数値モデル ,  緑色LED , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： V-shaped pits ,  GaN ,  green LED ,  hole current distribution

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (6件)： 窒化ガリウム ,  グリーン ,  LED ,  正孔 ,  電流分布 ,  ピット