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J-GLOBAL ID：201802276764013048   整理番号：18A1898784

グラフェン挿入トンネル接触IGZO TFTの電流増強【JST・京大機械翻訳】

Current Enhancement of Graphene-Inserted Tunneling Contact IGZO TFT

著者 (4件)： Zhang Xintong (Department of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology Clear water bay, Kowloon, Hong Kong) ,  Zhang Lining (College of Electronic Science and Technology, Shenzhen University, Shenzhen, 518060, P. R. China) ,  Wang Longyan (Department of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology Clear water bay, Kowloon, Hong Kong) ,  Chan Mansun (Department of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology Clear water bay, Kowloon, Hong Kong)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： EDSSC  ページ： 1-2  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,接触に薄い高ドープ領域を導入することにより,グラフェン挿入トンネリング接触IGZO薄膜トランジスタ(TCTFTs)のオン電流(I_on)を増強する方法を示した。高ドープ領域はN_2アニーリング後に形成され,IGZO表面近傍にドナー様欠陥を発生させた。この領域の導入は,オフ電流I_offに影響を及ぼすことなく,約7倍までI_onを増加させることができ,はるかに高いオン/オフ電流比をもたらす。通常のTFTと比較して,TCTFTの急峻なサブ閾値勾配も観測された。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ドナー ,  *グラフェン ,  トンネル効果 ,  *電流 ,  ドーピング ,  薄膜トランジスタ ,  焼なまし
準シソーラス用語： サブ閾値 ,  オフ電流 ,  *酸化インジウム・ガリウム・亜鉛 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (5件)： グラフェン ,  トンネル ,  IGZO ,  TFT ,  増強