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J-GLOBAL ID：201802276779790725   整理番号：18A0680801

AlGaN/GaN HEMTの非線形デバイスモデルのパラメータ抽出のための方法を示した。【JST・京大機械翻訳】

A Method for AlGaN/GaN HEMT Nonlinear Device Model Parameter Extraction

著者 (4件)： Chang Yongming (西安電子科技大学寛禁帯半導体重点実験室 西安 710071) ,  Mao Wei (西安電子科技大学寛禁帯半導体重点実験室 西安 710071) ,  Du Lin (西安電子科技大学寛禁帯半導体重点実験室 西安 710071) ,  Hao Yue (西安電子科技大学寛禁帯半導体重点実験室 西安 710071)
資料名： Dianzi yu Xinxi Xuebao  (Dianzi yu Xinxi Xuebao)
巻： 39  号： 12  ページ： 3039-3044  発行年： 2017年 
JST資料番号： C2507A  ISSN： 1009-5896  CODEN： DKXUEC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 本論文では,新しい絶対誤差関数を提案し,この関数を用いて非線形モデルパラメータを抽出することにより,計算誤差を避けることができ,パラメータ抽出の不正確さを著しく減少させることができた。窒化物半導体デバイス、特にAlGaN/GaN HEMTデバイスはすでに広く応用され始めているため、そのモデルとパラメータはRFと電力電子デバイスと回路設計にとって極めて重要である。3種類の誤差関数を用いて、AlGaN/GaN HEMTデバイスモデルに対してパラメータ抽出と比較を行い、比較結果により、提案した誤差関数がより正確かつ有効であることを示した。同時に、今後の電子デバイスのモデルパラメータの抽出に有効かつ精確な方法を提供した。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 回路設計 ,  *HEMT ,  *固体素子モデル ,  誤差関数 ,  電力 ,  *モデル
準シソーラス用語： 電子素子 ,  窒化物半導体 ,  モデルパラメータ ,  *パラメータ抽出 ,  *AlGaN/GaN , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： AlGaN/GaN HEMT ,  Absolute error function ,  Parameter extraction ,  Genetic algorithm

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： AlGaN ,  GaN ,  HEMT ,  非線形 ,  デバイスモデル ,  パラメータ抽出