デュアルゲートGaN双方向スイッチを用いた大電力3相から3相マトリックスコンバータ【JST・京大機械翻訳】

Umeda Hidekazu; Yamada Yasuhiro; Asanuma Kenichi; Kusama Fumito; Kinoshita Yusuke; Ueno Hiroaki; Ishida Hidetoshi; Hatsuda Tsuguyasu; Ueda Tetsuzo

文献

J-GLOBAL ID：201802276852578290 整理番号：18A0848122

デュアルゲートGaN双方向スイッチを用いた大電力3相から3相マトリックスコンバータ【JST・京大機械翻訳】

High power 3-phase to 3-phase matrix converter using dual-gate GaN bidirectional switches

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資料名：
巻： 2018 号： APEC ページ： 894-897 発行年： 2018年
JST資料番号： W2441A 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

高電流と高絶縁破壊電圧の両方を有する窒化ガリウム(GaN)双方向スイッチを用いた高効率三相から三相マトリックスコンバータを実証した。二重ゲートを持つGaNスイッチは単一デバイスによる双方向スイッチとして動作するが,従来の双方向スイッチは二つの絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)と二つのダイオードによる四つのデバイスから構成される。さらに,GaN双方向スイッチは電流伝導のための電圧オフセットからもフリーで,GaNベースのマトリックスコンバータは小さいサイズと非常に効率的なAC/AC変換を可能にする。凹形ゲートの導入を含む素子性能の改善により,電流の崩壊を伴わない安定な動作を伴う低オン状態抵抗が可能になる。最大ドレイン電流は,1340Vの破壊電圧と共に100Aに達した。作製した三相から三相マトリックス変換器は,最大出力パワーが10kW以上に達することができるという期待をもって,1kW出力で98%の最大変換効率を示した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

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電力変換器

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