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J-GLOBAL ID:201802277021161088   整理番号:18A0672531

固定および自由砥粒ラップによる単結晶ゲルマニウムウエハの表面下損傷【JST・京大機械翻訳】

Subsurface Damage of Monocrystalline Germanium Wafers by Fixed and Free Abrasive Lappings
資料名:
巻: 34  号:ページ: 496-503  発行年: 2017年 
JST資料番号: W0400A  ISSN: 1005-1120  CODEN: TNUAFX  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 英語 (EN)
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3つの異なる方法でラッピングした単結晶ゲルマニウムウエハの表面下損傷(SSD)層を測定し,ナノインデンテーションとミクロ形態の方法により比較した。氷固定研磨剤,熱硬化固定研磨剤,および自由研磨剤ラッピングのような3つの方法を,単結晶ゲルマニウム-マニウムウエハを重ねるために採用した。SSD深さをナノ圧子で測定し,SSD層の形態を原子間力顕微鏡(AFM)で観察した。結果は,単結晶ゲルマニウムウエハのSSD層が主にソフト腐食層と塑性引かきと亀裂成長層から成ることを示した。熱硬化固定研磨剤と自由研磨剤ラッピングと比較して,氷固定研磨剤でラップしたSSD深さはより浅い。さらに,氷固定研磨剤でラッピングした単結晶ゲルマニウムウエハのSSD形態は,2つのより高い処理方法のそれらより優れていた。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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固体デバイス製造技術一般 

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