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J-GLOBAL ID：201802277210502888   整理番号：18A2234028

エピタキシャルGaAsリフトオフのためのIn_2Se_3閃亜鉛鉱型(ZBL)van der WaalsテンプレートのXRD極図形解析【JST・京大機械翻訳】

XRD Pole Figure Analysis of In₂Se ₃ Zinc-Blende Like (ZBL) Van der Waals Template for Epitaxial GaAs Lift Off

著者 (5件)： Kojima Nobuaki (Toyota Technological Institute, Nagoya, 468-8511, Japan) ,  Wang Yu-Cian (Toyota Technological Institute, Nagoya, 468-8511, Japan) ,  Kawakatsu Kei (Toyota Technological Institute, Nagoya, 468-8511, Japan) ,  Ohshita Yoshio (Toyota Technological Institute, Nagoya, 468-8511, Japan) ,  Yamaguchi Masafumi (Toyota Technological Institute, Nagoya, 468-8511, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： WCPEC  ページ： 214-215  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： In_2Se_3とGaAsの二重層をMBEによりGaAs(111)と2~oの基板上に成長させた。結晶構造と結晶方位分布を,2θ-ω走査とX線回折(XRD)の極点図によって特性化した。α-In_2Se_3の単一ドメイン成長を,GaAs(111)2~oオフ基板を用いて得た。微斜面基板は,表面ステップ端でのステップ流成長を支配することにより双晶形成を抑制することができ,In_2Se_3の結晶方位はヘテロ界面で定義される。支配的な3αIn2Se_3(1017)面ピークから,界面構造を推定した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,  走査 ,  *エピタクシー ,  ステップ流 ,  結晶方位 ,  キャラクタリゼーション ,  表面ステップ ,  結晶構造 ,  微斜面 ,  *X線回折
準シソーラス用語： 界面構造 ,  ヘテロ界面 ,  単分域 ,  二重層 ,  *リフトオフ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 専用演算制御装置  (JC04030Y) ,  音声処理  (JE05000E) ,  符号理論  (ND02030R)

タイトルに関連する用語 (9件)： エピタキシャル ,  GaAs ,  リフトオフ ,  閃亜鉛鉱 ,  VAN ,  テンプレート ,  XRD ,  図形 ,  解析