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J-GLOBAL ID：201802277243229176   整理番号：18A0352428

一端で開始した電荷を充填した円筒形ケーシングからのフラグメントの投影角【Powered by NICT】

The projection angles of fragments from a cylindrical casing filled with charge initiated at one end

著者 (3件)： Wang Li (State Key Laboratory of Explosion Science and Technology, Beijing Institute of Technology, Beijing, 100081, China) ,  Han Feng (State Key Laboratory of Explosion Science and Technology, Beijing Institute of Technology, Beijing, 100081, China) ,  Zhou Qiao (State Key Laboratory of Explosion Science and Technology, Beijing Institute of Technology, Beijing, 100081, China)
資料名： International Journal of Impact Engineering  (International Journal of Impact Engineering)
巻： 103  ページ： 138-148  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0902A  ISSN： 0734-743X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電荷を充填した円筒ケーシングは弾頭設計に使用される最も一般的な構造の一つである。弾頭設計を強化するためには,速度とフラグメントの投射角の両方を正確に予測する必要がある。本研究では,一端開始下で電荷を充填した円筒形ケーシングの投影角に焦点を当てた。汎化内挿材料点(GIMP)法に基づく内作のコードを円筒状弾頭の動的破砕を取り扱う上で検証した後,特性加速時間を研究するために用いられる。その後,Chou[1]によって提案された解析式に基づく修正完全式は一端開始下でフラグメンテーション弾頭の投影角度を予測するために開発した。この式では,四因子を考慮し,質量,電荷直径,軸希薄化効果と軸外開始の影響への電荷質量の比を含んでいる。最後に,二つのシミュレーションは,この数式を検証した。計算結果の間の良好な一致と電流シミュレーションと公表された実験からのデータは,一端開始下で電荷を充填した円筒ケーシングからの破片の放出角を予測する式の優れた精度を示した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 内挿法 ,  シミュレーション ,  *電荷 ,  *円筒 ,  フラグメンテーション ,  電流

著者キーワード (5件)： 円筒形ケーシング ,  フラグメンテーション弾頭 ,  投影角 ,  偏心開始 ,  GIMP

分類 (4件)： 平板  (HD03060Z) ,  金属材料  (HC03020E) ,  曲板  (HD03070K) ,  その他の飛しょう体の力学的事項  (QK02070H)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電荷 ,  円筒形ケーシング ,  フラグメント ,  投影