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J-GLOBAL ID：201802277251977334   整理番号：18A0195632

65nm CMOS技術における低電力および高周波リング発振器の設計【Powered by NICT】

Low-power and high-frequency ring oscillator design in 65nm CMOS technology

著者 (3件)： Yen Chi-Hsien (Electrical Engineering Department, San Jose State University, San Jose, USA) ,  Nasrollahpour Mehdi (Electrical Engineering Department, San Jose State University, San Jose, USA) ,  Hamedi-Hagh Sotoudeh (Electrical Engineering Department, San Jose State University, San Jose, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ASICON  ページ： 533-536  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Bluetoothフロントエンド応用のための提示した対称負荷リング発振器の設計と解析。2mWの低電力消費で4.9GHz~5GHzの範囲における高周波波形はこの振動子により発生させた。3.7~6.5GHzの広い周波数同調範囲とKvcoの高い値は,1V電源を備えている。バイアスネットワークはリングVCOと全範囲出力バッファの高周波挙動を改善するために埋め込まれた電流源を制御するために実現した。提案したリング発振器は,TSMCの65nm RF CMOS技術で設計した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *リング発振器 ,  *CMOS ,  対称性 ,  振動子 ,  *HF【周波数】
準シソーラス用語： 電流源 ,  周波数同調 ,  Bluetooth ,  *低電力化 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 発振回路  (NC05020Y)

タイトルに関連する用語 (5件)： CMOS技術 ,  低電力 ,  高周波 ,  リング発振器 ,  設計