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J-GLOBAL ID:201802277467977926   整理番号:18A0839943

Si中の[110]及び[111]方向に沿った4.8~6.8MeV Cイオンの阻止能【JST・京大機械翻訳】

Stopping power for 4.8-6.8 MeV C ions along [1 1 0] and [1 1 1] directions in Si
著者 (6件):
資料名:
巻: 425  ページ: 1-3  発行年: 2018年 
JST資料番号: H0899A  ISSN: 0168-583X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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Si(100)/SiO_2/Si(100)のSIMOX(ケイ素による分離)構造において,4.8~6.8MeVの範囲のエネルギーをもつCイオンの阻止能を調べた。後方散乱スペクトルを[110]と[111]軸に沿ったランダムおよびチャネリング入射に対して測定した。散乱角を90°に設定し,運動因子の過剰な減少を避けた。ランダム阻止能に対する[110]および[111]チャネリングの比は,それぞれ4.8~6.8MeVイオンに対して約0.65および0.77であると決定された。GrandeおよびSchiwietzのCasP(高速粒子に対するコンボリューション近似)コードを用いて計算した衝撃パラメータ依存阻止能の妥当性を確認した。結晶シリコンのCイオン軌跡とフラックス分布をモンテカルロシミュレーションにより計算した。CasPコードで計算した阻止能は測定精度内で実験結果とほぼ一致した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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チャネリング,ブロッキング,粒子のエネルギー損失 
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