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J-GLOBAL ID：201802277493439717   整理番号：18A1488446

傾斜元素分布を持つAu/Ti_52Cu_48Ox/TiAlV構造におけるメムリスタ様挙動の解析【JST・京大機械翻訳】

Analysis of memristor-like behaviors in Au/Ti₅₂Cu₄₈Ox/TiAlV structure with gradient elements distribution

著者 (3件)： Domaradzki Jaroslaw (Faculty of Microsystem Electronics and Photonics, Wroclaw University of Science and Technology, Janiszewskiego 11/17, 50-372 Wroclaw, Poland) ,  Mazur Michal (Faculty of Microsystem Electronics and Photonics, Wroclaw University of Science and Technology, Janiszewskiego 11/17, 50-372 Wroclaw, Poland) ,  Kotwica Tomasz (Faculty of Microsystem Electronics and Photonics, Wroclaw University of Science and Technology, Janiszewskiego 11/17, 50-372 Wroclaw, Poland)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 87  ページ： 167-173  発行年： 2018年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,勾配元素分布を有する半導体(Ti_xCu_1-x)-酸化物系の薄膜に対して,メムリスティブ様特性を検討した。試験構造は,別々のTiとCuターゲットを有する多量体マグネトロン同時スパッタリングプロセスを用いて調製した。光学的および仕事関数測定に基づいて,用いたAuおよびTiAlV電気接点に関する作製した薄膜のバンドギャップアラインメントに関する議論を示した。さらに,イオンドリフトモデルを用いて,メムリスティティブ特性を解析した。電気的及び構造的研究と共に理論的解析を行い,直接及び交流測定中に観察されたピンチヒステリシスループの存在の説明を提案した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 仕事関数 ,  アラインメント ,  バンドギャップ ,  *チタン ,  交流 ,  *金 ,  薄膜 ,  半導体 ,  多量体 ,  マグネトロン ,  酸化物
準シソーラス用語： ヒステリシスループ ,  同時スパッタリング ,  *メモリスタ ,  *元素分布 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： メムリスタ ,  抵抗スイッチング ,  傾斜薄膜 ,  酸化物半導体 ,  マグネトロンスパッタリング

分類 (3件)： 光化学一般  (CB08010U) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 元素分布 ,  Au ,  メムリスタ ,  挙動 ,  解析