小脳学習は小脳皮質における電位依存性イオンチャンネルの表面発現を調節する【Powered by NICT】

Fuchs Jason R.; Darlington Shelby W.; Green John T.; Morielli Anthony D.

文献

J-GLOBAL ID：201802277571810765 整理番号：18A0288449

小脳学習は小脳皮質における電位依存性イオンチャンネルの表面発現を調節する【Powered by NICT】

Cerebellar learning modulates surface expression of a voltage-gated ion channel in cerebellar cortex

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資料名：
巻： 142 号： PB ページ： 252-262 発行年： 2017年
JST資料番号： A0897B ISSN： 1074-7427 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

ex vivo電気生理学を用いた多くの実験は,哺乳類学習と記憶機能の変化の観点から電位依存性イオンチャンネルの調節に関与することを示唆した。発現の変化の項における電位依存性イオンチャンネルの学習関連調節についてはほとんど知られていない。二実験では,瞬目反射条件付け(EBC)後の小脳皮質の離散領域における電位依存性カリウムチャンネルαサブユニットKv1.2の細胞表面発現の変化,小脳依存学習の良く研究された形を検討した。小脳皮質におけるKv1.2はバスケット細胞におけるほぼ完全に発現し,主に軸索末端pinceaux(PCX)領域,及びPurkinje細胞における,主に樹枝状結晶である。Kv1.2の細胞表面発現は両多光子顕微鏡,PCX領域に閉じ込められた測定,およびビオチン化/ウェスタンブロット,全細胞表面発現を測定することを可能にすることを用いて測定した。最初の実験では,ラットは,EBC,明示的に不対刺激曝露,あるいは文脈曝露した場合にのみ三セッションを受けた,その結果を顕微鏡で測定した不対群におけるKv1.2細胞表面発現の減少を示したが,ウェスタンブロットで測定した変化を示さなかった。第二の実験では,同じ三運動群はトレーニングのセッションの半分だけを受け,結果はウェスタンブロットで測定した不対群におけるKv1.2細胞表面発現の増加が顕微鏡で測定した変化を示さなかった。さらに,条件付け反応(CR)を発現しないEBC群のラットは,不対群としてKv1.2細胞表面発現の同じ増加を示した。結果の全体的なパターンはKv1.2の細胞表面発現はCRの出現に先立って,不在下でEBC刺激への曝露で変化することを示唆した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

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電極過程 , 中枢神経系

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