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J-GLOBAL ID：201802277817275379   整理番号：18A1862574

マグネトロンスパッタリング法によるWO_3/ZnO/WO_3ヘテロ層の堆積により作製したZnWO_4膜の構造と光ルミネセンス特性【JST・京大機械翻訳】

Structure and photoluminescence properties of ZnWO₄ film prepared by depositing WO₃/ZnO/WO₃ heterolayer via magnetron sputtering technique

著者 (9件)： Zhang Feng (Department of Physics & Energy, Chongqing University of Technology, 400054, China) ,  Zhang Yilin (Department of Physics & Energy, Chongqing University of Technology, 400054, China) ,  Jin Yun (Department of Physics & Energy, Chongqing University of Technology, 400054, China) ,  Hu Dingkang (Department of Physics & Energy, Chongqing University of Technology, 400054, China) ,  Yuan Chunlin (Department of Physics & Energy, Chongqing University of Technology, 400054, China) ,  Yan Chenchen (Department of Physics & Energy, Chongqing University of Technology, 400054, China) ,  Tang Qiyun (Department of Physics & Energy, Chongqing University of Technology, 400054, China) ,  Hu Dongdong (Department of Physics & Energy, Chongqing University of Technology, 400054, China) ,  Liu Xueqin (Department of Physics & Energy, Chongqing University of Technology, 400054, China)
資料名： Optical Materials  (Optical Materials)
巻： 85  ページ： 186-192  発行年： 2018年 
JST資料番号： W0468A  ISSN： 0925-3467  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しいZnWO_4薄膜を,RFマグネトロンスパッタリング法により清浄な溶融シリカ基板上に堆積したサンドイッチWO_3/ZnO/WO_3(WZW)ヘテロ層をアニーリングすることにより達成した。アニールしたWZWヘテロ層の結晶構造,表面形態及び光ルミネセンス(PL)特性をX線回折(XRD),Raman,走査電子顕微鏡(SEM)及びPL測定により特性化した。XRDとRamanパターンは,WZWヘテロ層から形成されたZnWO_4薄膜が,a軸に沿って優先配向を有する単斜晶の鉄マンガン重石構造を有することを示した。WZWヘテロ層のアニーリング温度は,形成されたZnWO_4膜の結晶化,表面形態およびPL特性の決定に重要な役割を果たした。SEMグラフとPLスペクトルは,約750°Cで30分間のアニーリング処理が,堆積したWZWヘテロ層に対して非常に効果的で,規則的なナノメータ結晶粒(200~400nm)と約495nm付近の最強のPL発光を形成し,一方,850°Cへのアニーリング温度の上昇は粗い表面を導き,PL強度を弱めることを示した。全てのアニールしたWZW膜からのPLスペクトルは広い非対称形状を示し,240~290nmの範囲の励起波長とアニーリング温度に依存した。関連するPL機構を解析し,それぞれ410nmと495nmでモニターした励起スペクトルに従って議論した。膜中のZnWO_4とZnO励起バンドの共存が励起波長によるPL形状の発展の原因であることを示唆した。最終的に,形成したZnWO_4膜の平均PL減衰時間は,ZnWO_4微結晶の3つの固有発光を時間分解することにより,約22μsであると決定した。本研究は,マグネトロンスパッタリングが,蛍光性ZnWO_4膜を調製する有効な技術であることを示した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *マグネトロンスパッタリング ,  結晶化 ,  発光 ,  *光ルミネセンス ,  微結晶 ,  薄膜成長 ,  単斜晶系 ,  キャラクタリゼーション ,  結晶粒 ,  励起 ,  X線回折分析 ,  焼なまし ,  薄膜 ,  X線回折 ,  *酸化亜鉛
準シソーラス用語： 光ルミネセンススペクトル ,  アニーリング温度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： ZnWO_4膜 ,  WO_3/ZnO/WO_3ヘテロ層 ,  マグネトロンスパッタリング ,  構造と光ルミネセンス

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： マグネトロンスパッタリング ,  ZnO ,  テロ ,  堆積 ,  作製 ,  光ルミネセンス