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J-GLOBAL ID：201802277834806209   整理番号：18A0819276

有機デバイスにおけるドーピング機構 ポリ(3-ヘキシルチオフェン)薄膜における酸素分子の効果【JST・京大機械翻訳】

Doping mechanism in organic devices: Effects of oxygen molecules in poly(3-hexylthiophene) thin films

著者 (4件)： Faria Gregorio C. (Instituto de Fisica de Sao Carlos, Universidade de Sao Paulo, P.O.Box: 369, 13560-970, Sao Carlos, SP, Brazil) ,  Coutinho Douglas J. (Federal Technological University of Parana (UTFPR), Toledo, PR, Brazil) ,  von Seggern Heinz (Institute of Materials Science, Technische Universitaet Darmstadt, Alarich-Weiss-Strasse 2, 64287, Darmstadt, Germany) ,  Faria Roberto M. (Instituto de Fisica de Sao Carlos, Universidade de Sao Paulo, P.O.Box: 369, 13560-970, Sao Carlos, SP, Brazil)
資料名： Organic Electronics  (Organic Electronics)
巻： 57  ページ： 298-304  発行年： 2018年 
JST資料番号： W1352A  ISSN： 1566-1199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ポリ(3-ヘキシルチオフェン)(P3HT)の電気的性質は,有機デバイスの電極として使用されるいくつかの金属や酸化物との接触に加えて,酸素の存在に非常に敏感である。このような原子と分子はデバイス性能に有害な影響を及ぼし,通常,それらの効率と動作寿命の減少を引き起こす。したがって,それらの分子,特に酸素が活性層と相互作用する方法を理解することは,デバイス劣化を防ぐために必須である。ここでは,素子を周囲空気に曝露する前後に,単純化ダイオード構造ITO/P3HT/Agにおいて,CELIVと暗い飛行時間測定を行った。結果解析により,拡散による酸素分子の遅い取り込み,電子による発生した酸素トラップの慎重な充填,およびその結果,P3HTのHOMOへのP3HTFermi準位のシフトが示された。最後に,CELIV測定中の正孔抽出の動力学とそれらの回復についても議論した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電気的性質 ,  相互作用 ,  *薄膜 ,  酸化物 ,  *酸素 ,  HOMO ,  ダイオード ,  活性層 ,  簡素化 ,  正孔 ,  *ドーピング
準シソーラス用語： 飛行時間 ,  周囲空気 ,  *分子状酸素 ,  *有機デバイス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ポリ(3-ヘキシルチオフェン) ,  Pドーピング ,  酸素拡散 ,  界面効果 ,  暗黒-CELIV

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

タイトルに関連する用語 (5件)： 有機デバイス ,  ドーピング ,  3-ヘキシルチオフェン ,  薄膜 ,  酸素分子